[發明專利]動態偵測靜電保護電路有效
| 申請號： | 200710094272.2 | 申請日： | 2007-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN101442869A | 公開（公告）日： | 2009-05-27 |
| 發明（設計）人： | 田光春 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H05F3/04 | 分類號： | H05F3/04;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201206上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 動態 偵測 靜電 保護 電路 | ||
【權利要求書】：
1.?一種動態偵測靜電保護電路，包括并接在靜電端和接地端之間的動態偵測電路、中間隔離電路、靜電泄放電路；中間隔離電路用于隔離動態偵測電路和靜電泄放電路，并進行分壓和驅動；中間隔離電路的輸入端與動態偵測電路電連接，其輸出端與靜電泄放電路的輸入端電連接；所述動態偵測電路由電阻和電容串接組成；其特征在于：
所述靜電泄放電路由NMOS管構成，所述中間隔離電路由一PMOS管與一電阻串接組成；或者，
所述靜電泄放電路由PMOS管構成，所述中間隔離電路由一NMOS管與一電阻串接組成。
2.?如權利要求1所述的動態偵測靜電保護電路，其特征在于：所述中間隔離電路、動態偵測電路的電阻為多晶硅電阻或n阱電阻，動態偵測電路的電容為多晶硅-絕緣體-多晶硅電容。
3.?如權利要求1所述的動態偵測靜電保護電路，其特征在于：所述中間隔離電路、動態偵測電路的電阻為多晶硅電阻或n阱電阻；動態偵測電路的電容為NMOS柵電容。
4.?如權利要求1所述的動態偵測靜電保護電路，其特征在于：所述中間隔離電路、動態偵測電路中的電阻為多晶硅電阻或n阱電阻；動態偵測電路的電容為PMOS柵電容。
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