[發明專利]半導體晶圓制造中金屬間介質填充方法

有效

• 申請號: 200710094087.3
• 申請日: 2007-09-18
• 公開（公告）號: CN101393868A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發明（設計）人: 甄永泰;張慧君;陳建維
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 周 赤

1、一種半導體晶圓制造中金屬間介質填充方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)通過反應腔體，在底層PECVD二氧化硅薄膜(301)上沉積第一SACVD二氧化硅過渡層(302)；

(2)在所述反應腔體內不破真空的情況下，在所述第一二氧化硅過渡層(302)上，沉積SACVD二氧化硅主沉積層(303)；

(3)在所述反應腔體內不破真空情況下，在所述SACVD二氧化硅主沉積層(303)上，再沉積一層第二SACVD二氧化硅過渡層(304)；

(4)在所述第二SACVD二氧化硅過渡層(304)上，使用PECVD方法，淀積頂層PECVD二氧化硅薄膜(305)；

其中，所述第一SACVD二氧化硅過渡層(302)和第二SACVD二氧化硅過渡層(304)的張應力和厚度均小于所述SACVD二氧化硅主沉積層(303)的張應力和厚度，且所述SACVD二氧化硅主沉積層(303)厚度在范圍內。

2、根據權利要求1所述的半導體晶圓制造中金屬間介質填充方法，其特征在于，在所述步驟(1)中，所沉積的第一SACVD二氧化硅過渡層(302)張應力應控制在150Mpa～250Mpa范圍內，且厚度在范圍內。

3、根據權利要求2所述的半導體晶圓制造中金屬間介質填充方法，其特征在于，所沉積的第一SACVD二氧化硅過渡層(302)的厚度為

4、根據權利要求1至3中任一項所述的半導體晶圓制造中金屬間介質填充方法，其特征在于，在所述步驟(2)中，在沉積所述SACVD二氧化硅主沉積層(303)時，應根據金屬間溝道的高寬比增大所述反應腔內部的壓力，以得到張應力在350Mpa～450Mpa的范圍內、厚度在范圍內的SACVD二氧化硅主沉積層(303)。

5、根據權利要求4所述的半導體晶圓制造中金屬間介質填充方法，其特征在于，所沉積的SACVD二氧化硅主沉積層(303)的厚度為

6、根據權利要求1、2、3或5中任一項所述的半導體晶圓制造中金屬間介質填充方法，其特征在于，在所述步驟(3)中，在沉積所述第二SACVD二氧化硅過渡層(304)時，應根據金屬間溝道的高寬比，降低所述反應腔內部的壓力，以得到張應力在200Mpa～250Mpa的范圍內、厚度在范圍內的第二SACVD二氧化硅過渡層(304)。

7、根據權利要求4所述的半導體晶圓制造中金屬間介質填充方法，其特征在于，在所述步驟(3)中，沉積所述第二SACVD二氧化硅過渡層(304)時，應根據金屬間溝道的高寬比，降低所述反應腔內部的壓力，以得到張應力在200Mpa～250Mpa的范圍內，且厚度在范圍內的第二SACVD二氧化硅過度層(304)。