[發(fā)明專利]基于負(fù)性光刻膠的柵極注入掩膜層的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710094077.X | 申請(qǐng)日： | 2007-09-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101383280A | 公開(kāi)（公告）日： | 2009-03-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳福成;朱駿 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/266 | 分類號(hào)： | H01L21/266;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 丁紀(jì)鐵 |
| 地址： | 201206上海市浦東*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 光刻 柵極 注入 掩膜層 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種基于負(fù)性光刻膠的柵極注入掩膜層的制備方法，其特征在于，該制備方法包括：
(1)在硅片上涂覆負(fù)性光刻膠；
(2)用柵極光刻掩膜版進(jìn)行光刻顯影；
(3)利用步驟(2)中顯影后留下的負(fù)性光刻膠圖案作注入掩膜層，進(jìn)行柵極注入。
2.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述柵極注入掩膜層的制備是在柵極刻蝕完成之后進(jìn)行的。
3.按照權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述柵極注入掩膜層的制備是在柵極的側(cè)墻刻蝕完成之后進(jìn)行的。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
