[發明專利]圖案轉移的方法

無效

• 申請號: 200710091904.X
• 申請日: 2007-03-30
• 公開（公告）號: CN101276728A
• 公開（公告）日: 2008-10-01
• 發明（設計）人: 劉弘仁;江宸谷
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.?一種圖案轉移的方法，該方法包含有：

提供基底；

于該基底上形成第一圖案化掩模層，其包含電路圖案以及多個虛構圖案；

于該基底上形成第二圖案化掩模層，其暴露出該第一圖案化掩模層上的該電路圖案；以及

利用該第一圖案化掩模層當作掩模而移除暴露出的部分該基底，以將該電路圖案轉移至該基底上。

2.?如權利要求1所述的圖案轉移的方法，其中該基底包含半導體基底、介電層、金屬層或絕緣層。

3.?如權利要求1所述的圖案轉移的方法，其中所述虛構圖案與該電路圖案形成矩陣圖形。

4.?如權利要求1所述的圖案轉移的方法，其中該所述虛構圖案與該電路圖案形成類矩陣圖形。

5.?如權利要求1所述的圖案轉移的方法，其中所述虛構圖案與該電路圖案具有約相同的間距。

6.?如權利要求1所述的圖案轉移的方法，其中該電路圖案包含有：

密集圖案區，其包含有多個密集圖案；以及

疏離圖案區，其包含有至少一疏離圖案；

其中該第一圖案化掩模層的圖案包含有所述密集圖案、該疏離圖案以及所述虛構圖案，該第二圖案化掩模層則包含有對應于該密集圖案區的第一圖案區以及對應于該疏離圖案區的第二圖案區。

7.?如權利要求6所述的圖案轉移的方法，其中所述密集圖案以及該疏離圖案分別為接觸洞圖案。

8.?如權利要求6所述的圖案轉移的方法，其中所述密集圖案以及該疏離圖案的圖形尺寸不完全相同。

9.?如權利要求6所述的圖案轉移的方法，其中各該虛構圖案的圖形與各該密集圖案的圖形相同。

10.?如權利要求6所述的圖案轉移的方法，其中該第二圖案化掩模層的該第一圖案區以及該第二圖案區分別暴露出該第一圖案化掩模層的所述密集圖案與該疏離圖案，并覆蓋住該第一圖案化掩模層上的所述虛構圖案。

11.?如權利要求1所述的圖案轉移的方法，其中形成該第一圖案化掩模層的方法包含有下列步驟：

依序于該基底表面形成硬掩模層以及第一光阻層；以及

進行光刻工藝，以于該第一光阻層上定義出該第一圖案化掩模層的圖案。

12.?如權利要求11所述的圖案轉移的方法，其中形成該第一圖案化掩模層的方法還包含有下列步驟：

進行顯影工藝，以于該第一光阻層上形成該第一圖案化掩模層的圖案，其包含該電路圖案與所述虛構圖案；以及

進行蝕刻工藝，利用該第一光阻層當作掩模，以移除該第一光阻層所暴露出的部分該硬掩模層。

13.?如權利要求11所述的圖案轉移的方法，其還包含進行熱處理工藝，以等比例縮小該第一光阻層的該電路圖案與所述虛構圖案的尺寸。

14.?如權利要求13所述的圖案轉移的方法，其中該熱處理工藝為回流工藝。

15.?如權利要求11所述的圖案轉移的方法，其中該光刻工藝利用氟化氬光源進行。

16.?如權利要求1所述的圖案轉移的方法，其中形成該第二圖案化掩模層的方法包含有：

于該第一圖案化掩模層上形成第二光阻層；以及

進行光刻工藝，以圖案化該第二光阻層而形成該第二圖案化掩模層。

17.?如權利要求16所述的圖案轉移的方法，其中該方法還包含在形成該第二圖案化掩模層之前，先于該基底上形成底部抗反射涂層。

18.?如權利要求17所述的圖案轉移的方法，其中該方法還包含利用該第二圖案化掩模層當作蝕刻掩模，進行蝕刻工藝，以移除該第二圖案化掩模層所暴露出的部分該底部抗反射涂層。

19.?如權利要求17所述的圖案轉移的方法，其中該底部抗反射涂層的材料為可顯影抗反射材料，而在形成該第二圖案化掩模層時，還包含進行顯影工藝，以同時于該第二光阻層與該底部抗反射涂層上形成該第二圖案化掩模層的圖案。

20.?如權利要求16所述的圖案轉移的方法，其中該蝕刻工藝為反應性離子蝕刻工藝。