[發明專利]具有疊合透明電極的半導體發光裝置

有效

• 申請號: 200710091743.4
• 申請日: 2007-04-09
• 公開（公告）號: CN101286541A
• 公開（公告）日: 2008-10-15
• 發明（設計）人: 歐震;徐宸科
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種半導體發光裝置，包含：

基板；

半導體外延層，位于該基板上方，并具有遠離該基板之外表面；

第一透光導電層，位于該外表面上方，且具有第一表面；以及

第二透光導電層，位于該第一透光導電層上方，且具有第二表面，該第二表面的面積小于該第一表面的面積，且該第二透光導電層的光學特性及電學特性中至少其一不同于該第一透光導電層者。

2.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第一透光導電層大體上覆蓋該半導體外延層的該外表面的全部面積。

3.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第一透光導電層對于發自該半導體外延層的光的穿透率大于該第二透光導電層的穿透率。

4.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第一透光導電層的導電系數小于該第二透光導電層的導電系數。

5.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第一透光導電層的厚度大于該第二透光導電層的厚度。

6.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第二透光導電層包含多個彼此電相連的區段。

7.如權利要求1所述的半導體發光裝置，還包含：

凹槽，自該半導體外延層的表面凹陷至底面以暴露出該半導體外延層中至少一層的一部分，該凹槽自該半導體外延層的第一側延伸至相對于該第一側的第二側；及

接觸層，位于該溝槽內。

8.如權利要求7所述的半導體發光裝置，還包含延伸區段，自該接觸層朝外突出。

9.如權利要求7所述的半導體發光裝置，其中該第一透光導電層與該第二透光導電層中至少其一環繞該凹槽。

10.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該半導體外延層包含：

第一型半導體層；

第二型半導體層；及

發光層，位于該第一型半導體層與該第二型半導體層之間。

11.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第一透光導電層的材料擇自ITO、IZO、ZnO、CTO、In₂O₃、SnO₂、MgO、及CdO所構成的群組。

12.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第二透光導電層的材料擇自ITO、IZO、ZnO、CTO、In₂O₃、SnO₂、MgO、及CdO所構成的群組。

13.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第二透光導電層的材料擇自Al、Au、Cr、In、Ir、Ni、Pd、Pt、Rh、Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、及前述材料的合金或疊層所構成的群組。

14.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第二透光導電層的該第二表面與該第一透光導電層的該第一表面的面積比值不大于1/2。

15.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第二透光導電層為金屬層或金屬疊層，該金屬層或該金屬疊層的厚度介于0.001μm～1μm。

16.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第二透光導電層的厚度小于該第一透光導電層的表面粗糙度。

17.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第二透光導電層包含區段，該區段的寬度不大于50μm。

18.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該第一透光導電層與該第二透光導電層包含相同的主要材料。

19.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該半導體發光裝置的面積不小于15mil×15mil。

20.如權利要求1所述的半導體發光裝置，其中該半導體發光裝置的外形為矩形。