[發明專利]有機EL顯示裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 200710091198.9 | 申請日: | 2007-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN101055889A | 公開(公告)日: | 2007-10-17 |
| 發明(設計)人: | 甲斐和彥;伊藤雅人;松崎永二 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/82;H05B33/12;H05B33/26;H05B33/10 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 | 代理人: | 季向岡 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 el 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機EL顯示裝置,其在基板的一面上具有多個像素,上述多個像素各自包括在第一電極與第二電極之間具有有機發光層的有機EL元件、控制在上述有機EL元件中流過的電流的有源元件、以及形成于上述有機EL元件和上述有源元件之間的第一絕緣層,其特征在于:
上述第一電極被形成為使其按每一像素而分離,
上述第二電極被形成為在多個像素中共用,
由上述第一絕緣層覆蓋上述第一電極的邊緣,
在除了上述第一電極的邊緣之外的該第一電極之上形成有與上述第一絕緣層同層的第二絕緣層,
上述第二絕緣層相對于上述基板面具有高度差,
通過該高度差在各像素內使上述第二電極和上述有機發光層分離。
2.根據權利要求1所述的有機EL顯示裝置,其特征在于:
形成上述高度差的上述第二絕緣層的遠離上述基板一側的角為銳角。
3.根據權利要求2所述的有機EL顯示裝置,其特征在于:
上述高度差由相對于上述基板的一面為正錐形的面和為倒錐形的面形成。
4.一種有機EL顯示裝置,其在基板的一面上具有多個像素,上述多個像素各自包括在第一電極與第二電極之間具有有機發光層的有機EL元件、控制在上述有機EL元件中流過的電流的有源元件、以及形成于上述有機EL元件和上述有源元件之間的第一絕緣層,其特征在于:
上述第一電極被形成為使其按像素單位而分離,
上述第二電極被形成為在多個像素中共用,
由上述第一絕緣層覆蓋上述第一電極的邊緣,
在除了上述第一電極的邊緣之外的該第一電極上具有與上述第一絕緣層同層的第二絕緣層,
上述第二絕緣層在被上述第一絕緣層夾著的區域具有相對于上述基板的一面為正錐形的面,
上述第二電極和上述有機發光層的邊緣位于上述正錐形的面之上。
5.根據權利要求4所述的有機EL顯示裝置,其特征在于:
在上述正錐形的面的下層有倒錐形的面。
6.根據權利要求4所述的有機EL顯示裝置,其特征在于:
在除了上述第一電極的邊緣之外的區域上形成有相對于該第一電極的面為倒錐形的面的第二絕緣層,
在上述倒錐形的面上有上述第二電極和上述有機發光層的邊緣。
7.一種有機EL顯示裝置,其在基板的一面上具有多個像素,上述多個像素各自包括在第一電極與第二電極之間具有有機發光層的有機EL元件、控制在上述有機EL元件中流過的電流的有源元件、以及形成于上述有機EL元件和上述有源元件之間的第一絕緣層,其特征在于:
上述第一電極被形成為使其按每一像素而分離,
上述第二電極被形成為在多個像素中共用,
由上述第一絕緣層覆蓋上述第一電極的邊緣,
在除了上述第一電極的邊緣之外的該第一電極上具有與上述第一絕緣層同層的第二絕緣層,
上述第二絕緣層在被上述第一絕緣層夾著的區域具有倒錐形的面,
上述第二電極和上述有機發光層的邊緣位于上述倒錐形的面之上。
8.一種有機EL顯示裝置的制造方法,其特征在于,包括:
形成按每一像素而分離的第一電極的步驟;
在形成上述第一電極后,在相鄰的第一電極之間、上述第一電極的邊緣及其中央的一部分上形成絕緣層的步驟;以及
在形成上述絕緣層后,在該絕緣層上依次形成有機發光材料和第二電極的步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





