[發(fā)明專利]發(fā)光元件和使用該發(fā)光元件的通信裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710090491.3
• 申請(qǐng)日: 2007-04-12
• 公開（公告）號(hào): CN101055911A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 千田昌伸;荒添直棋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豐田合成株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H04B10/12;H04B10/02;H04B10/04;H04B10/06
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 顧晉偉;劉繼富

1.一種發(fā)光元件，包含：

包含GaN基半導(dǎo)體的阱層；

鄰近所述阱層的勢壘層，所述勢壘層包含GaN基半導(dǎo)體；和

形成在所述阱層和所述勢壘層之間的GaN基半導(dǎo)體層，

其中所述GaN基半導(dǎo)體層包括摻雜劑，以消除在所述阱層和所述 勢壘層之間產(chǎn)生的壓電場，

其中所述GaN基半導(dǎo)體層形成在MQW(多量子阱)結(jié)構(gòu)的勢壘層 和阱層之間的界面處，并且

其中所述阱層包含1000μm²～22000μm²的發(fā)射面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中：

所述GaN基半導(dǎo)體層形成在SQW(單量子阱)結(jié)構(gòu)的勢壘層和阱 層之間的界面處。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中：

所述GaN基半導(dǎo)體層形成在p-型層側(cè)上形成的勢壘層和阱層之間 的界面處，并且

所述摻雜劑包含Mg。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光元件，其中：

所述GaN基半導(dǎo)體層形成在n-型層側(cè)上形成的勢壘層和阱層之間 的界面處，并且

所述摻雜劑包含Si。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)光元件，其中：

所述GaN基半導(dǎo)體層具有不小于1.3nm的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)光元件，其中：

所述GaN基半導(dǎo)體層具有不小于2.6nm且不大于10nm的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)光元件，其中：

所述GaN基半導(dǎo)體層具有2.5×10¹⁸/cm³～1.0×10¹⁹/cm³的Si濃度。

8.一種通信裝置，包含：

如權(quán)利要求1所限定的發(fā)光元件；和

光纖，通過所述光纖來傳輸由所述發(fā)光元件發(fā)射的光。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的通信裝置，其中：

所述光纖包含POF(塑料光纖)，所述塑料光纖在所述發(fā)光元件的 發(fā)射波長范圍內(nèi)具有最小的傳輸損失。

10.一種通信裝置，包含：

發(fā)光單元，其包含如權(quán)利要求1所限定的發(fā)光元件；和

光接收單元，用于接收從所述發(fā)光單元發(fā)射的可見光。