[發明專利]制造底柵型薄膜晶體管的方法

無效

• 申請號: 200710088997.0
• 申請日: 2007-03-29
• 公開（公告）號: CN101086969A
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 林赫;樸永洙;鮮于文旭;趙世泳;殷華湘
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/20;H01L21/268
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張波

1.一種制造底柵型薄膜晶體管TFT的方法，該方法包括：

在基板上形成底柵電極；

在所述基板上形成柵極絕緣層從而覆蓋所述柵電極；

在所述柵極絕緣層上形成非晶半導體層；

構圖所述非晶半導體層從而在所述柵電極上形成非晶溝道區；

利用激光退火方法熔化所述非晶溝道區；以及

晶化所述熔化的非晶溝道區從而形成橫向生長的多晶溝道區。

2.根據權利要求1的方法，還包括：

在所述柵極絕緣層上形成多晶半導體層從而覆蓋所述多晶溝道區；

在所述多晶半導體層上形成N型半導體層；

在所述N型半導體層上形成電極層；以及

順序蝕刻形成在所述多晶溝道區上的電極層部分、N型半導體層部分和多晶半導體層部分，從而形成源區和漏區。

3.根據權利要求1的方法，其中所述非晶半導體層由Si或SiGe形成。

4.根據權利要求1的方法，其中所述非晶半導體層形成為具有500至1000范圍的厚度。

5.根據權利要求1的方法，其中所述非晶溝道區形成為具有2至5μm范圍的長度。

6.根據權利要求2的方法，其中所述多晶半導體層由多晶硅形成。

7.根據權利要求2的方法，其中所述N型半導體層由摻雜以N型雜質的非晶硅或摻雜以N型雜質的多晶硅形成。

8.根據權利要求1的方法，其中所述激光退火方法中使用的激光能量控制在700至1000mJ/cm²的范圍。

9.根據權利要求1的方法，其中所述柵極絕緣層由SiO₂或SiN形成。

10.根據權利要求1的方法，其中所述柵電極由選自Al、Cr、Cu和Mo構成的組的任何一種形成。

11.根據權利要求2的方法，其中所述柵電極由選自Al、Cr、Cu和Mo構成的組的任何一種形成。

12.根據權利要求1的方法，其中所述非晶半導體層利用紫外光刻方法構圖。

13.根據權利要求12的方法，其中所述基板是由玻璃或塑料形成的透明基板。

14.根據權利要求13的方法，其中利用所述柵電極構成掩模，紫外光照射進所述透明基板中從而到達所述非晶半導體層。

15.一種底柵型薄膜晶體管TFT，其利用權利要求1的方法制造。