[發明專利]掩模圖案以及其形成方法有效
| 申請號: | 200710088543.3 | 申請日: | 2007-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN101266402A | 公開(公告)日: | 2008-09-17 |
| 發明(設計)人: | 傅傳賢;楊春暉;郭建利;王淑如;王鈺林 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F1/14 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖案 及其 形成 方法 | ||
1.一種掩模圖案,包括:
至少一個連續圖案,其中每一該連續圖案包括第一圖案、第二圖案以及一組輔助圖案,該組輔助圖案連接于該第一圖案與該第二圖案之間,并在該連續圖案中形成封閉開口,
其中該組輔助圖案的尺寸小于使用該掩模圖案進行光刻工藝的光刻工藝機臺的最低分辨率,該第一圖案的第一圖案中心軸與該第二圖案的第二圖案中心軸平行或垂直。
2.如權利要求1所述的掩模圖案,其中該封閉開口為多邊形開口。
3.如權利要求1所述的掩模圖案,其中該封閉開口為凹多邊形開口。
4.如權利要求1所述的掩模圖案,其中該封閉開口為復合多邊形開口。
5.如權利要求1所述的掩模圖案,其中該連續圖案為長方形。
6.如權利要求1所述的掩模圖案,其中當該第一圖案的寬度大于該第二圖案的寬度時,該組輔助圖案為該第二圖案的一端延伸部分,且與該第一圖案的一端相連接。
7.如權利要求1所述的掩模圖案,其中該組輔助圖案與該封閉開口組成該連續圖案的連接區,且該連接區的寬度大于該第一圖案的寬度與該第二圖案的寬度。
8.如權利要求1所述的掩模圖案,其中該輔助圖案與該第一圖案、該第二圖案交界處具有擴大區塊。
9.如權利要求1所述的掩模圖案,其中該第一圖案的第一圖案中心軸
與該第二圖案的第二圖案中心軸相互垂直。
10.如權利要求9所述的掩模圖案,其中該封閉開口為奇數頂點多邊形。
11.如權利要求9所述的掩模圖案,其中該封閉開口為多邊形開口。
12.如權利要求9所述的掩模圖案,其中該封閉開口為凹多邊形開口。
13.如權利要求9所述的掩模圖案,其中該封閉開口為復合多邊形開口。
14.如權利要求9所述的掩模圖案,其中當該第二圖案的一端對該第一圖案的邊緣為圖案配置時,該組輔助圖案為該第二圖案的該端延伸部分,且該組輔助圖案與該封閉開口所組成的該連續圖案的連接區的寬度大于該第二圖案的寬度。
15.如權利要求9所述的掩模圖案,其中該輔助圖案與該第一圖案、該第二圖案交界處具有擴大區塊。
16.如權利要求9所述的掩模圖案,其中當該第二圖案的一端對該第一圖案的邊緣為圖案配置時,該組輔助圖案為該第二圖案的該一端延伸部分,且該組輔助圖案與該封閉開口所組成的該連續圖案的連接區的寬度小于該第二圖案的寬度。
17.如權利要求1所述的掩模圖案,其中該組輔助圖案與該封閉開口組成該連續圖案的連接區,且該連接區的寬度小于該第一圖案的寬度與該第二圖案的寬度。
18.一種掩模圖案的形成方法,包括:
提供元件的圖案布圖,其中該圖案布圖至少包括第一元件圖案與第二元件圖案,且該第一元件圖案與該第二元件圖案彼此分離;以及
根據該圖案布圖,設計可將該圖案布圖轉移至材料層上的掩模圖案,其中該掩模圖案包括連續圖案,該連續圖案包括一組輔助圖案以及分別相對應該第一元件圖案與該第二元件圖案的第一圖案與第二圖案,且該組輔助圖案連接該第一圖案與該第二圖案,以于該連續圖案中形成封閉開口,
其中該組輔助圖案的尺寸小于使用該掩模圖案進行光刻工藝的光刻工藝機臺的最低分辨率,該第一圖案的第一圖案中心軸與該第二圖案的第二圖案中心軸平行或垂直。
19.如權利要求18所述的掩模圖案的形成方法,其中該封閉開口為多邊形開口。
20.如權利要求18所述的掩模圖案的形成方法,其中該封閉開口為凹多邊形開口。
21.如權利要求18所述的掩模圖案的形成方法,其中該封閉開口為復合多邊形開口。
22.如權利要求18所述的掩模圖案的形成方法,其中該連續圖案為長方形。
23.如權利要求18所述的掩模圖案的形成方法,其中當該第一圖案的寬度大于該第二圖案的寬度時,該組輔助圖案為該第二圖案的一端延伸部分,且與該第一圖案相連接。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





