[發明專利]熔斷后不會造成非線性電流的反熔絲及存儲單元

無效

• 申請號: 200710088196.4
• 申請日: 2007-03-20
• 公開（公告）號: CN101271881A
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 張光曄;許興仁;何仲仁
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L27/112;H01L27/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.?一種熔斷后不會造成非線性電流的反熔絲，包含：

基底；

介電層，形成于該基底上；

傳導層，形成于該介電層上；

一個第一摻雜區，形成于該介電層下方的基底中；

兩個第二摻雜區，形成于該基底中，位于該第一摻雜區的兩側，該兩個第二摻雜區之上方未被該介電層覆蓋；以及

導線，耦接該兩個第二摻雜區。

2.?如權利要求1所述的反熔絲，其中該第一摻雜區由該基底表面注入，具有第一深度，該第二摻雜區由該基底表面注入，具有大于該第一深度的第二深度。

3.?如權利要求1所述的反熔絲，其中該第一摻雜區的濃度小于該第二摻雜區的濃度。

4.?如權利要求1所述的反熔絲，其另包含絕緣層，覆蓋于該基底以及該傳導層的表面，該導線通過接觸窗耦接該兩個第二摻雜區。

5.?如權利要求4所述的反熔絲，其中該絕緣層為二氧化硅。

6.?如權利要求1所述的反熔絲，其中該第一摻雜區以及該兩個第二摻雜區為n型摻雜區，該基底為p型基底。

7.?如權利要求1所述的反熔絲，其中該第一摻雜區以及該兩個第二摻雜區為p型摻雜區，該基底為n型基底。

8.?如權利要求1所述的反熔絲，其中該傳導層為多晶硅。

9.?如權利要求1所述的反熔絲，其中該介電層為二氧化硅。

10.?如權利要求1所述的反熔絲，其中該導線為金屬線。

11.?一種使用反熔絲的一次式編程存儲器的存儲單元，包含：

反熔絲，由具有摻雜載流子的溝道的晶體管形成，該晶體管的柵極為該反熔絲的第一端，該晶體管的源極與漏極相耦接為該反熔絲的第二端；

p型晶體管，該p型晶體管的漏極耦接于該反熔絲的第一端；以及

n型晶體管，該n型晶體管的漏極耦接于該反熔絲的第一端。

12.?如權利要求11所述的存儲單元，其中該反熔絲、該p型晶體管以及該n型晶體管為互補型金屬氧化物半導體晶體管。

13.?如權利要求11所述的存儲單元，其中該具有摻雜載流子的溝道的晶體管為具有摻雜p型載流子的溝道的晶體管。

14.?如權利要求13所述的存儲單元，其中該反熔絲的第二端耦接于高電壓端。

15.?如權利要求11所述的存儲單元，其中該具有摻雜載流子的溝道的晶體管為具有摻雜n型載流子的溝道的晶體管。

16.?如權利要求15所述的存儲單元，其中該反熔絲的第二端耦接于接地端。