[發(fā)明專利]用以制造平面顯示器的曝光方法和光掩模有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710087774.2 | 申請日： | 2007-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN101271279A | 公開（公告）日： | 2008-09-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王程麒 | 申請（專利權(quán)）人： | 奇美電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;G03F7/039;G03F1/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人： | 陶鳳波 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用以 制造 平面 顯示器 曝光 方法 光掩模 | ||
技術(shù)領域
本發(fā)明是有關(guān)于一種曝光方法和光掩模，且特別是有關(guān)于一種制造平面顯示器的曝光方法和光掩模。
背景技術(shù)
隨著平面顯示器制造技術(shù)的進步，以及消費者對于大畫面、高解析度顯示器的需求日益殷切，使得用以制作平面顯示器的基板尺寸日益增加。而為了要制造更高解析度的平面顯示器，內(nèi)部元件的尺寸必須相對加以減小。因此，應用光光刻工藝(photolithography)進行曝光以定義元件圖案的技術(shù)，在解析度上面臨了重大的挑戰(zhàn)。
目前雖然已經(jīng)有可以定義出高解析度圖案的曝光機臺，但是由于需要復雜且精密的光學鏡組，因此價格十分昂貴，大約為低解析度機種的十倍以上。對于需要進行大量生產(chǎn)的廠商而言，對其初期設備的建置成本造成極大壓力。此外，高解析度曝光機臺的曝光時間相對于低解析度曝光機臺要緩慢許多，造成了生產(chǎn)速度的降低。并且由于大尺寸的精密光學鏡組不易制作，故一般而言，高解析度的曝光機臺其每次曝光的面積比低解析度的曝光機臺小。因此，隨著大尺寸平面顯示器時代的來臨，一片基板往往需要分區(qū)多次曝光才能夠?qū)D案定義完成。若是以高解析度曝光機臺進行作業(yè)，緩慢的作業(yè)時間拖延生產(chǎn)，所增加的成本將十分可觀。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種用以制造平面顯示器的曝光方法。以先定義低解析度圖案，再接著定義高解析度圖案的方式，分批在同一光致抗蝕劑層上形成完整圖案。可顯著減少高解析度曝光機的作業(yè)時間，提高生產(chǎn)效率。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提出一種用以制造平面顯示器的曝光方法，包括：提供基板，該基板上具有未定義的光致抗蝕劑層。接著，圖案化光致抗蝕劑層，以形成初步圖案層，初步圖案層具有第一解析度。然后，圖案化初步圖案層，以形成完整圖案層。完整圖案層具有第二解析度，且第二解析度高于第一解析度。
根據(jù)本發(fā)明的另一目的，提供一組用以制造平面顯示器的光掩模，包括初步成形光掩模及細部修飾光掩模。初步成形光掩模具有第一解析度，而細部修飾光掩模具有第二解析度，第二解析度高于第一解析度。初步成形光掩模用以在形成于基板上的光致抗蝕劑層上定義初步圖案，以形成初步圖案層。細部修飾光掩模接著在初步圖案層上定義完整圖案，以形成完整圖案層。
根據(jù)本發(fā)明的再一目的，提供一種用以制造平面顯示器的曝光方法，包括：提供基板，基板上具有光致抗蝕劑層，其特征在于：圖案化光致抗蝕劑層，以形成初步圖案層，初步圖案層具有第一解析度；接著，圖案化初步圖案層，以形成完整圖案層，完整圖案層具有第二解析度，且第二解析度高于第一解析度。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。
附圖說明
圖1A繪示未完成的薄膜晶體管陣列的局部平面圖；
圖1B繪示圖1A中沿剖面線A-A’的剖面圖；
圖2A繪示初步定義的薄膜晶體管陣列的局部平面圖；
圖2B繪示圖2A中沿剖面線B-B’的剖面圖；
圖3A繪示定義完成的薄膜晶體管陣列的局部平面圖；
圖3B繪示圖3A中沿剖面線C-C’的剖面圖；
圖3C繪示圖3A中沿剖面線C-C’去除已曝光部分的光致抗蝕劑后的剖面圖；以及
圖4繪示制作完成的薄膜晶體管剖面圖。
附圖標記說明
100：未完成的薄膜晶體管
100a：初步定義的薄膜晶體管
100b：定義完成的薄膜晶體管
100c：曝光顯影后的薄膜晶體管
100d：蝕刻完成的薄膜晶體管
110：玻璃基板
120：掃瞄線
122：柵極
130：絕緣層
140：非晶硅溝道
150、150d：n+非晶硅層
160：金屬層
162：源極
164：漏極
170：光致抗蝕劑層
170a：初步圖案層
170b：完整圖案層
170c：曝光顯影后的光致抗蝕劑層
172：圖案
180：初步成形光掩模
190：細部修飾光掩模
具體實施方式
以下以本發(fā)明的曝光方法，用以制造平面顯示器中的薄膜晶體管(thinfilm?transistor，TFT)中的源極以及漏極結(jié)構(gòu)為例做說明。
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