[發(fā)明專利]應(yīng)用奈米小球形成二維圖案的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710080267.6
• 申請日: 2007-02-15
• 公開（公告）號: CN101246937A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭浩中;唐詩韻;褚宏深;蔡勇
• 申請（專利權(quán)）人: 香港應(yīng)用科技研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L21/02;H01S5/00;G02B6/122
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 王允方;劉國偉

1.?一種形成二維圖案的方法，其包含：

在一基板上涂覆多個小球；

利用所述小球于所述基板上形成一屏蔽；

蝕刻所述基板；及

自所述基板移除所述屏蔽。

2.?如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述屏蔽之步驟包含：

于所述小球間沉積一金屬材料作為所述屏蔽。

3.?如權(quán)利要求1所述的方法，其另包含：

在形成所述屏蔽后自所述基板上移除所述小球。

4.?如權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述屏蔽之步驟另包含：

于沉積所述金屬材料前蝕刻所述小球使其縮小。

5.?如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述屏蔽之步驟包含：

蝕刻所述小球使其縮小，并且以縮小后之所述小球作為所述屏蔽。

6.?如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述蝕刻系為反應(yīng)性離子蝕刻。

7.?如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基板系為一光電元件之基板。

8.?如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述光電元件系為一發(fā)光二極管或半導體激光器。

9.?如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述基板之材料可以是附有光電元件外延結(jié)構(gòu)的藍寶石(sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、金屬、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)或金剛石(Diamond)。

10.?如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述二維圖案為一光電元件基板表面之二維光子晶體或準二維光子晶體。

11.?一種處理一基板表面之方法，其包含：

在所述基板表面上涂覆多個小球；

在所述小球之間沉積一物質(zhì)；及

移除所述小球以在所述基板表面留下所述沉積之物質(zhì)。

12.?如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述物質(zhì)系為一可透光之光學材料。

13.?如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述物質(zhì)系為一水溶膠。

14.?如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述留下之沉積物質(zhì)在所述基板表面上形成粗化之表面。

15.?如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述留下之沉積物質(zhì)在所述基板表面上形成多個弧形凹洞。

16.?如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述基板為一光電元件的基板。

17.?如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述光電元件系為一發(fā)光二極管或半導體激光器。

18.?如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述基板之材料可以是附有光電元件外延結(jié)構(gòu)的藍寶石(sapphire)、碳化硅(SiC)、硅(Si)、金屬、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)或金剛石(Diamond)。

19.?一種光電元件，其包含一基板，所述基板之表面系經(jīng)如權(quán)利要求11-18中任一權(quán)利要求所述的方法處理。

20.?一種光電元件，其包含一基板，所述基板之表面具有一經(jīng)如權(quán)利要求1-10中任一權(quán)利要求所述的方法處理的二維圖案。