[發明專利]薄膜形成基板及其薄膜形成裝置

無效

• 申請號: 200710079688.7
• 申請日: 2007-03-02
• 公開（公告）號: CN101255543A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 瀧澤力;中山貴道;柏木邦宏;坂本雄一
• 申請（專利權）人: 微電子株式會社
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/24;C23C14/58
• 代理公司: 北京三幸商標專利事務所
• 代理人: 劉激揚

1.?一種薄膜形成基板，其特征在于該薄膜形成基板結構如下：將在基板上堆積了ZnO化合物的透明薄膜形成基板曝于氫等離子體中，使透明薄膜的電阻率減小，使導電性薄膜改性。

2.?根據權利要求1所述的薄膜形成基板，其特征在于，將上述透明薄膜形成基板曝于微波氫等離子體中，使導電性薄膜改性。

3.?根據權利要求1所述的薄膜形成基板，其特征在于該薄膜形成基板結構如下：將Zn材料曝于微波氧等離子體中，作為ZnO化合物在基板上堆積，形成上述透明薄膜形成基板，將該透明薄膜形成基板曝于微波氫等離子體中，使導電性薄膜改性。

4.?一種薄膜形成裝置，其特征在于，將在基板上堆積了ZnO化合物的透明薄膜形成基板曝于氫等離子體中，使透明薄膜的電阻率減小，使導電性薄膜改性。

5.?根據權利要求4所述的薄膜形成裝置，其特征在于，上述透明薄膜形成基板結構如下：使作為成膜材料的Zn材料蒸發，將蒸發后的Zn材料曝于微波氧等離子體中，作為ZnO化合物在基板上堆積。

6.?一種薄膜形成裝置，其特征在于，該薄膜形成裝置具有氧等離子體發生機構，該氧等離子體發生機構在減壓室內供給微波電力和氧氣，以使產生微波氧等離子體；氫等離子體發生機構，該氫等離子體發生機構向上述減壓室供給微波電力和氫氣，以使產生微波氫等離子體；蒸發機構，該蒸發機構設置于上述減壓室內，對作為成膜材料的Zn材料進行蒸發；基板，該基板設置于上述減壓室內，根據上述微波氧等離子體進行加熱，該薄膜形成裝置特征在于，產生氧等離子體、蒸發，根據微波氧等離子體氧化后的Zn材料而形成的ZnO化合物在上述基板上堆積、成膜，改變氧等離子體而產生微波氫等離子體，將在上述基板成膜后的ZnO薄膜曝于氫等離子體中，減小電阻率、使導電性薄膜改性。

7.?根據權利要求6所述的薄膜形成裝置，其特征在于，上述等離子體發生機構將供給微波電力的微波窗設在減壓室內的底部側，將上述蒸發機構設在與該微波窗相同高度的減壓室內的底部側、或者比微波窗高的位置的減壓室的內側位置。