[發明專利]除去具有爆炸危險氣體中水霧的半導體除濕裝置

有效

• 申請號: 200710078600.X
• 申請日: 2007-06-11
• 公開（公告）號: CN101125277A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 文光才;劉勝;顏家淵;唐勇;邸志強;林雪峰;李柏均;楊娟;任文賢
• 申請（專利權）人: 煤炭科學研究總院重慶分院
• 主分類號: B01D53/26
• 分類號: B01D53/26;B01D5/00;B01D8/00;F24F3/14
• 代理公司: 重慶華科專利事務所
• 代理人: 徐先祿

1.除去具有爆炸危險氣體中水霧的半導體除濕裝置，包括一制冷室(4)，其底部設有一進氣管(3)，制冷室(4)設在殼體(1)內的下部，進氣管(3)從殼體(1)的底部伸出；一半導體制冷器件(6)，設在殼體(1)內并與殼體內的開關電源(8)連接，其冷端與制冷室(4)的一側緊貼；開關電源與電源(15)連接；其特征是：在殼體(1)內的上部設有一制熱室(10)，其底部設有一絕熱連通管(7)，絕熱連通管(7)與制冷室(4)的頂部相通；在殼體(1)內設有一傳熱板(9)，傳熱板的下端與半導體制冷器件(6)的熱端緊貼、上端與制熱室(10)的一側緊貼；在制熱室(10)的頂部設有一與其相通的測量室(12)，測量室的上部伸出殼體，其側壁設有一出氣管(13)、頂部設有一與傳感器探頭(14)配合的接口。

2.根據權利要求1所述的除去具有爆炸危險氣體中水霧的半導體除濕裝置，其特征是：半導體制冷器件(6)由49對電偶對組成，電偶對是由一塊N型半導體材料和一塊P型半導體材料結成的。

3.根據權利要求1或2所述的除去具有爆炸危險氣體中水霧的半導體除濕裝置，其特征是：制冷室(4)的腔體內至少設有三層紫銅網(5)。

4.根據權利要求1或2所述的除去具有爆炸危險氣體中水霧的半導體除濕裝置，其特征在于：制熱室(10)的外腔體由不銹鋼制成，外腔體內的上部設有一用不銹鋼制成的內腔體(11)，內腔體上設有多個通氣孔(16)。

5.根據權利要求1或2所述的除去具有爆炸危險氣體中水霧的半導體除濕裝置，其特征在于：在制冷室(4)的外面設有絕熱層(2)。