[發明專利]場發射偏振光源

有效

• 申請號: 200710077111.2
• 申請日: 2007-09-14
• 公開（公告）號: CN101388319A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 馮辰;柳鵬;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司
• 主分類號: H01J63/02
• 分類號: H01J63/02;H01J63/06;F21V9/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種場發射偏振光源，其包括：一具有一平整表面的基板、一形成在該基板表面的陰極導電層、多個設置在陰極導電層上的電子發射體、一與該陰極導電層相隔一定距離設置的一透明基板、一形成于該透明基板靠近電子發射體一側的陽極層、一設置在該陽極層表面的熒光層，其特征在于，該陽極層為碳納米管薄膜結構且該碳納米管薄膜結構中的碳納米管沿同一方向擇優取向排列。

2.如權利要求1所述的場發射偏振光源，其特征在于，該碳納米管薄膜結構包括至少一層碳納米管薄膜。

3.如權利要求2所述的場發射偏振光源，其特征在于，該碳納米管薄膜為多個首尾相連的碳納米管以擇優取向排列形成的薄膜結構。

4.如權利要求2所述的場發射偏振光源，其特征在于，該碳納米管薄膜之間通過范德華力連接。

5.如權利要求2所述的場發射偏振光源，其特征在于，該碳納米管薄膜的層數大于10層。

6.如權利要求2所述的場發射偏振光源，其特征在于，該碳納米管薄膜的厚度為0.01微米-100微米。

7.如權利要求1所述的場發射偏振光源，其特征在于，該碳納米管薄膜結構的偏振吸收度為0.85-0.9。

8.如權利要求1所述的場發射偏振光源，其特征在于，該場發射偏振光源進一步包括多個側壁，該側壁位于陰極導電層和熒光層之間。

9.如權利要求1所述的場發射偏振光源，其特征在于，該場發射偏振光源進一步包括一柵極，該柵極位于陰極導電層和熒光層之間。