[發明專利]一種CdS量子點的制備方法

無效

• 申請號: 200710072413.0
• 申請日: 2007-06-27
• 公開（公告）號: CN101074370A
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 蔡偉;李志國
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工業大學
• 主分類號: C09K11/56
• 分類號: C09K11/56
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所
• 代理人: 單軍

1、一種CdS量子點的制備方法，其特征在于CdS量子點按以下步驟制備：一、將60g十六烷基胺在120±5℃的條件下真空脫氣2h；二、降低十六烷基胺溫度至80±2℃，在氮氣氛條件下將1g(Me4N)4[S4Cd10(SPh)16]加入十六烷基胺，然后以2℃/min的速度升溫至150～240℃；三、待CdS量子點達到設定顆粒尺寸，降低混合物溫度至60±2℃；四、用無水甲醇離心分離、沉淀物再真空干燥，即得到CdS量子點。

2、根據權利要求1所述的一種CdS量子點的制備方法，其特征在于步驟三中CdS量子點顆粒設定的尺寸是粒徑為2.8～4.5nm。

3、根據權利要求1所述的一種CdS量子點的制備方法，其特征在于步驟三中用UV-vis紫外-可見全譜儀監測CdS量子點顆粒的尺寸。

4、根據權利要求1所述的一種CdS量子點的制備方法，其特征在于步驟四中無水甲醇離心的沉淀物用甲苯溶解，再加入甲醇體積1～2倍的無水甲醇再次離心分離。

5、根據權利要求1或4所述的一種CdS量子點的制備方法，其特征在于步驟四中在8000～15000r/min的條件下離心10min。

6、根據權利要求1所述的一種CdS量子點的制備方法，其特征在于步驟四中真空干燥的溫度為10～20℃，干燥時間為24h，真空度為0.1MPa。