[發(fā)明專利]一種用于硅基液晶顯示器件的幀存儲像素電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710064872.4 | 申請日: | 2007-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN101276555A | 公開(公告)日: | 2008-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃苒;杜寰;韓鄭生 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號: | G09G3/36 | 分類號: | G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 100029*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 液晶顯示 器件 存儲 像素 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及硅基液晶微顯示器件(Liquid?Crystal?on?Silicon,LCoS)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于硅基液晶顯示器件的幀存儲像素電路。
背景技術(shù)
微顯示系統(tǒng)是一種平板顯示技術(shù),其核心是把顯示電視圖像或者計算機(jī)圖像的全部像素集成到一塊集成電路上,通常的尺寸為對角線小于3in(7.62cm)。主要用于可視耳機(jī)(video?headsets),頭盔顯示器(helmet-mounted?displays),穿戴式計算機(jī)(wearable?computers),數(shù)碼相機(jī)(digital?camera)和便攜式攝像機(jī)(camcorder)的取景器等。
硅基液晶技術(shù)是微顯示技術(shù)的一種實(shí)現(xiàn)方式,其基本結(jié)構(gòu)為在CMOS硅芯片上灌裝傳統(tǒng)的液晶材料。由于微顯示芯片面積的限制,一般微顯示芯片采用彩色時序的方法實(shí)現(xiàn)彩色化。
為了提高顯示對比度,延長光源照射時間,越來越多的LCoS器件采用幀存儲像素結(jié)構(gòu)。幀存儲結(jié)構(gòu)可以先將整幀數(shù)據(jù)預(yù)存儲在電容中,讀信號使預(yù)存儲內(nèi)容一次性讀入像素電容進(jìn)行顯示,預(yù)存儲時間與上一幀顯示時間重合,因此延長了光照時間,而且可以降低對數(shù)據(jù)驅(qū)動器的速度要求,降低了器件設(shè)計與制造的難度。
如圖1和圖2所示,圖1為目前第一種幀存儲像素電路的結(jié)構(gòu)圖,圖2為目前第二種幀存儲像素電路的結(jié)構(gòu)圖。圖1和圖2中像素電容的充放電通過不同的晶體管,像素電路結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,走線復(fù)雜,寄生效應(yīng)影響電路的性能。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題
針對現(xiàn)有技術(shù)像素電容充放電通過不同的晶體管,電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜,走線復(fù)雜,寄生現(xiàn)象影響電路的性能的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的是提供一種電荷保持率高、電路結(jié)構(gòu)簡單的用于硅基液晶顯示器件的幀存儲像素電路。
(二)技術(shù)方案
為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
一種用于硅基液晶顯示器件的幀存儲像素電路,該電路包括預(yù)存儲電路和像素電容充放電電路;
所述預(yù)存儲電路包括第一晶體管M1和預(yù)存儲電容C1,所述第一晶體管M1的漏極接收數(shù)據(jù)信號,柵極外接寫信號,控制對預(yù)存儲電容C1的寫操作,源極與預(yù)存儲電容C1一端連接,同時源極還與第二晶體管M2的柵極連接,預(yù)存儲電容C1另一端接地;
所述像素電容充放電電路包括第二晶體管M2、第三晶體管M3和像素電容C2;所述第二晶體管M2的源極與第三晶體管M3的漏極連接,第二晶體管M2的漏極接收充放電控制信號,控制對像素電容C2的充放電;所述第三晶體管M3的源極與像素電容C2連接,柵極接收讀信號,控制對像素電容C2的寫操作。
所述第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3為NMOS晶體管。
所述數(shù)據(jù)信號采用逐行掃描方式預(yù)存儲在預(yù)存儲電容C1中,當(dāng)數(shù)據(jù)信號全部寫入各像素預(yù)存儲電容C1后,所述讀信號變?yōu)楦唠娖剑谌w管M3開啟,隨后充放電控制信號變?yōu)榈碗娖剑瑢ο袼仉娙軨2進(jìn)行放電,放電后即變成高電平,對像素電容C2進(jìn)行充電;充電完成后,讀信號變?yōu)榈碗娖剑谌w管M3關(guān)斷,像素電容C2與第二晶體管M2之間由第三晶體管M3隔離,進(jìn)入像素電壓保持期。
(三)有益效果
從上述技術(shù)方案可以看出,本發(fā)明具有以下有益效果:
本發(fā)明提供的這種用于硅基液晶顯示器件的幀存儲像素電路,通過利用第二晶體管作為通道,對像素電容進(jìn)行充電和放電的操作,取消了以往像素電路單獨(dú)使用一個接地的晶體管對像素電容進(jìn)行放電的做法,減少了使用晶體管的個數(shù),簡化了電路結(jié)構(gòu),降低了走線的復(fù)雜程度,提高了電路的性能。
附圖說明
圖1為目前第一種幀存儲像素電路的結(jié)構(gòu)圖;
圖2為目前第二種幀存儲像素電路的結(jié)構(gòu)圖。
圖3為本發(fā)明提供的用于硅基液晶顯示器件的幀存儲像素電路的結(jié)構(gòu)圖;
圖4是本發(fā)明提供的用于硅基液晶顯示器件的幀存儲像素電路信號時序圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合具體實(shí)施例,并參照附圖,對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
如圖3所示,圖3為本發(fā)明提供的用于硅基液晶顯示器件的幀存儲像素電路的結(jié)構(gòu)圖。該電路包括預(yù)存儲電路和像素電容充放電電路,數(shù)據(jù)信號1連接在第一晶體管M1的漏極,寫信號2連接在第一晶體管M1的柵極,讀信號3連接在第三晶體管M3的柵極,充放電控制信號4連接在第二晶體管M2的漏極。
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