[發(fā)明專利]一種多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710063231.7
• 申請日: 2007-01-04
• 公開（公告）號: CN101214485A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱哲淵
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/12;B08B7/04;B08B1/00;C11D7/50;F26B5/00;F26B3/02;H01L21/00;H01L21/3065;C11D7/04
• 代理公司: 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭立明;王連軍

1.一種多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，包括以下過程：

A、用有機(jī)溶劑清洗零件表面；

B、用堿性溶液與酸性溶液不分順序依次清洗零件表面；

C、將零件放入超聲槽中，清洗設(shè)定的超聲波清洗時(shí)間，進(jìn)行超聲波清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，所述過程B在清洗過程中包括下述過程至少一次：

用質(zhì)量含量比為2％～20％氫氧化四甲基氨TMAH水溶液擦拭、浸泡或噴淋零件表面，不超過設(shè)定的TMAH水溶液清洗時(shí)間；和/或，

用質(zhì)量含量比為2％～20％氫氧化四甲基氨TMAH水溶液與有機(jī)溶劑的混合溶液擦拭、浸泡或噴淋零件表面，不超過設(shè)定的TMAH水溶液與有機(jī)溶劑混合溶液清洗時(shí)間，所述的2％～20％氫氧化四甲基氨TMAH水溶液與有機(jī)溶劑的質(zhì)量含量比為1∶1～1∶5。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的方法在每次更換溶液進(jìn)行下一步清洗或用同一溶液進(jìn)行下一次清洗過程之前和/或之后還包括下述過程：

用超純水沖洗或噴淋零件表面；

用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至無帶色的雜質(zhì)脫落；和/或，用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的方法在每次用堿性溶液或酸性溶液清洗后還包括：

用有機(jī)溶劑噴淋零件設(shè)定的清洗時(shí)間，并可重復(fù)多次，且每次的清洗時(shí)間與所用有機(jī)溶劑的可相同或不同；

用潔凈的擦拭物擦拭零件，直至無帶色的雜質(zhì)脫落；和/或，用潔凈的高壓氣體吹干零件的表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于：

所述的過程C后包括，將零件在80℃～120℃環(huán)境下烘烤零件進(jìn)行烘干處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于：

所述的過程A包括用有機(jī)溶劑擦拭、浸泡或噴淋零件，再用潔凈的擦拭物擦拭零件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的過程B包括以下過程：

B1、用堿性溶液擦拭、浸泡或噴淋零件，并可重復(fù)多次；

B2、用酸性溶液擦拭零件，不超過設(shè)定的酸性溶液擦拭時(shí)間，并可重復(fù)多次。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的有機(jī)溶劑包括：

純異丙醇，100％，符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)C41-1101A的I級標(biāo)準(zhǔn)；或者，

純乙醇，滿足電子純級別要求；或者，

純丙酮，滿足電子純級別要求。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于：

所述的堿性溶液包括氫氧化氨NH₄OH、雙氧水H₂O₂與水H₂O，其質(zhì)量含量比為：

NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O為1∶1∶1～20。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅刻蝕腔室中陽極氧化零件表面的清洗方法，其特征在于，所述的酸性溶液包括硝酸HNO₃、氫氟酸HF、過硫酸銨(NH₄)₂S₂O₈與水H₂O，其質(zhì)量含量比為：

HNO₃∶HF∶(NH₄)₂S₂O₈∶H₂O為1∶1∶0～2∶10～50。