[發(fā)明專利]一種多晶刻蝕腔室中電極表面的清洗方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710062734.2
• 申請日: 2007-01-15
• 公開（公告）號: CN101226873A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 童翔
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00
• 代理公司: 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭立明;任紅

1.一種多晶刻蝕腔室中電極表面的清洗方法，其特征在于，包括以下步驟：

A、用固態(tài)二氧化碳CO₂清洗電極表面；

B、對電極表面進行拋光處理，去除表面材料至消除表面缺陷與損傷；

C、對電極進行超聲波清洗、有機溶劑清洗與酸性溶液清洗。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶刻蝕腔室中電極表面的清洗方法，其特征在于，所述步驟A后包括：

用有機溶劑清洗去除硅材質(zhì)表面的有機雜質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶刻蝕腔室中電極表面的清洗方法，其特征在于，所述的步驟B包括：

依次采用粒度由大至小的金剛石砂輪對電極表面進行拋光處理，直至電極表面滿足預(yù)定的性能要求。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶刻蝕腔室中電極表面的清洗方法，其特征在于，所述的步驟C包括：

C1、將電極放入40℃至80℃的熱水中超聲清洗設(shè)定的時間，且在清洗時保持電極上下擺動；

C2、用有機溶劑擦拭、浸泡或噴淋電極，并用超純水噴淋電極；且此步驟可重復(fù)多次；

C3、用酸性溶液擦拭電極，并用超純水噴淋電極；且此步驟可重復(fù)多次。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶刻蝕腔室中電極表面的清洗方法，其特征在于：所述的步驟C1前還包括：

C4、將電極放入70至90℃的水中浸泡0.5～1.5小時；

和/或，所述的步驟C3后還包括：

C5、將電極放入60℃的熱超純水中超聲清洗設(shè)定的時間；和/或，

C6、將零件在100℃～120℃環(huán)境下烘烤零件進行烘干處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的多晶刻蝕腔室中電極表面的清洗方法，其特征在于：所述的步驟C1、步驟C2、步驟C3和/或步驟C5后還包括：

用超純水噴淋電極，并用潔凈的氣體吹干電極表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、或5所述的多晶刻蝕腔室中電極表面的清洗方法，其特征在于，所述的有機溶劑包括：

含量為100％的異丙醇；或者，

含量為100％的丙酮；

其中，所述的異丙醇符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)C41-1101A的I級標(biāo)準(zhǔn)；所述的丙酮滿足電子純級別要求。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、或5所述的多晶刻蝕腔室中電極表面的清洗方法，其特征在于，所述的酸性溶液包括氫氟酸HF、硝酸HNO₃、醋酸CH₃COOH與水H₂O，其含量體積百分比為：

HF?????????0.2％-1.0％

HNO₃???????10％-40％

CH₃COOH????10％-20％

H₂O????????余量

其中各組份的含量各為100％。