[發明專利]草酸亞錫中性絡合法制備納米二氧化錫基導電薄膜的方法無效
| 申請號： | 200710060167.7 | 申請日： | 2007-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN101219860A | 公開（公告）日： | 2008-07-16 |
| 發明（設計）人： | 靳正國;劉同軍;王濤;馮麗蕊 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | C03C17/23 | 分類號： | C03C17/23 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 草酸 中性 絡合 法制 納米 氧化 導電 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種草酸亞錫中性絡合法制備納米二氧化錫基導電薄膜的方法，制備步驟如下：
(1)在攪拌條件下，將1.25g?SnC2O4加入8-12ml?1.1M?C6H8O7水溶液中，形成懸浮體系，緩慢滴加三乙醇胺(TEA)8-12ml至澄清溶液，pH＝6.5-7，然后加入0.0067g?SbCl3以引入摻雜離子。
(2)將清洗后的普通玻璃片浸漬于前驅體溶膠中，提拉并充分干燥后于450-500℃下熱處理10min，重復15-30次，得到具有規定厚度和導電性的納米晶SnO2基薄膜。
2.根據權利要求1的制備納米二氧化錫基導電薄膜的方法，其特征在于，所述步驟(1)的1.1M?C6H8O7水溶液為8ml。
3.根據權利要求1的制備納米二氧化錫基導電薄膜的方法，其特征在于，所述步驟(2)的熱處理溫度為450℃。
4.根據權利要求1的制備納米二氧化錫基導電薄膜的方法，其特征在于，所述步驟(2)的提拉速度為3cm/min。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天津大學，未經天津大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710060167.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：蜜蜂生物香皂
- 下一篇：車輪可折疊的高爾夫球車
