[發明專利]一種降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯密度的方法有效
| 申請號： | 200710050553.8 | 申請日： | 2007-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN101250747A | 公開（公告）日： | 2008-08-27 |
| 發明（設計）人： | 盧福華;左艷彬;張昌龍;周衛寧;呂智;霍漢德;顧書林;杭寅 | 申請（專利權）人： | 桂林礦產地質研究院 |
| 主分類號： | C30B7/10 | 分類號： | C30B7/10;C30B29/16 |
| 代理公司： | 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 馬蘭 |
| 地址： | 541004廣*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 水熱法 zno 晶體 螺旋 密度 方法 | ||
1、一種降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯密度的方法，是在利用水熱法進行ZnO晶體的生長之前，對ZnO晶體進行下述步驟的處理：
1)取ZnO晶體切割出ZnO晶片；
2)在ZnO晶片+c面和-c面各鍍一層耐高溫、耐腐蝕材料作為屏蔽層；所述耐高溫、耐腐蝕材料為Pt，或Au，或Ag，或它們之中任意兩種或兩種以上的合金；
3)利用光刻方法在ZnO晶片+c面和/或-c面的屏蔽層上蝕刻出平行的長條形，使+c面和/或-c面的屏蔽層分為阻止ZnO晶片生長的屏蔽區(1)和可使ZnO晶片從中長出的生長窗口區(2)，得到ZnO籽晶片，所得的的ZnO籽晶片即可利用水熱法進行ZnO晶體的生長。
2、根據權利要求1所述的降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯密度的方法，其特征在于：步驟3)中，所述屏蔽區(1)的寬度為2～20μm，生長窗口區(2)的寬度為0.5～20μm。
3、根據權利要求1或2所述的降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯密度的方法，其特征在于：步驟3)中，所述屏蔽區(1)大于生長窗口區(2)。
4、根據權利要求1或2所述的降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯密度的方法，其特征在于：步驟1)中，按(0001)切向切割出ZnO晶片。
5、根據權利要求1或2所述的降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯密度的方法，其特征在于：步驟1)中，所述切割出的ZnO晶片厚度為1～1.2mm。
6、根據權利要求1或2所述的降低水熱法ZnO晶體的螺旋位錯密度的方法，其特征在于：步驟2)中，所述屏蔽層的厚度為100～150nm。
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