[發(fā)明專利]薄膜晶體管及液晶顯示裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710047732.6 | 申請(qǐng)日： | 2007-11-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101425542A | 公開（公告）日： | 2009-05-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李小和;秦鋒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海廣電NEC液晶顯示器有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/786 | 分類號(hào)： | H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 薛 琦 |
| 地址： | 201108上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜晶體管 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管，其包括第一漏極、第二漏極、源極以及柵極，其特征在于，所述第一漏極和第二漏極形成一半封閉區(qū)域，所述源極的一端位于該半封閉區(qū)域中。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一漏極和第二漏極沿半封閉走線形成半封閉區(qū)域。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述位于半封閉區(qū)域中的源極一端為“T“字型。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述位于半封閉區(qū)域中的源極一端為“Γ“字型。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述位于半封閉區(qū)域中的源極一端為“干“字型。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述位于半封閉區(qū)域中的源極一端為“Ч“字型。
7.一種液晶顯示裝置，其特征在于，其包括如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的薄膜晶體管，與該薄膜晶體管連接的數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管通過接觸孔與像素電極連接。
9.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述掃描線具有有源層。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述有源層上具有薄膜晶體管的第一漏極和第二漏極。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
