[發(fā)明專利]一種多晶摻鉬氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710046910.3
• 申請日: 2007-10-11
• 公開（公告）號: CN101158028A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 沈杰;王三坡;章壯健
• 申請（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種多晶摻鉬氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，采用直流磁控濺射技術(shù)，其特征在于具體步驟如下：以鋅鉬金屬鑲嵌靶為靶材，以普通玻璃為基板，基板溫度為100-300℃，通過反應(yīng)直流磁控濺射法，使Ar離子束轟擊靶材，將靶材濺射，濺射電流150-300mA，濺射電壓100-400V，反應(yīng)室內(nèi)的工作壓強為0.45-2.5Pa，O₂反應(yīng)氣體的分壓百分含量為4.0～10.0％，濺射時間40-100分鐘。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所述薄膜的厚度為100-250nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于所述鋅鉬金屬鑲嵌靶中鉬摻雜量為鋅的質(zhì)量的0.5％-12.5％。