[發(fā)明專利]一種可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710046687.2
• 申請(qǐng)日: 2007-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN101399214A
• 公開（公告）日: 2009-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 聶佳相
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 屈 蘅;李時(shí)云

1、一種可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，該金屬墊制作在已制成頂層金屬的半導(dǎo)體器件上，該方法包括以下步驟：(1)在該頂層金屬上制作擴(kuò)散阻擋層；(2)通過物理氣相沉積工藝沉積金屬層；(3)依據(jù)金屬墊圖形進(jìn)行光刻和刻蝕以形成金屬墊；其特征在于，該方法在步驟(1)與步驟(2)間還具有致密該擴(kuò)散阻擋層的步驟。

2、如權(quán)利要求1所述的可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，其特征在于，通過熱處理來(lái)致密該擴(kuò)散阻擋層。

3、如權(quán)利要求2所述的可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，其特征在于，該熱處理在惰性氣體氛圍中進(jìn)行，且熱處理溫度為100至300攝氏度。

4、如權(quán)利要求3所述的可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，其特征在于，該惰性氣體為氮?dú)饣驓鍤狻?/p>

5、如權(quán)利要求1所述的可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，其特征在于，通過放置在空氣中生成自然氧化層來(lái)致密該擴(kuò)散阻擋層，其中，放置時(shí)間為30分鐘。

6、如權(quán)利要求1所述的可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，其特征在于，在步驟(1)中，通過化學(xué)氣相沉積工藝或原子層沉積工藝來(lái)制作該擴(kuò)散阻擋層。

7、如權(quán)利要求1所述的可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，其特征在于，該金屬墊制作方法還包括步驟(4)制作覆蓋在金屬墊周邊的保護(hù)層。

8、如權(quán)利要求1所述的可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，其特征在于，該擴(kuò)散阻擋層為氮化鉭或氮化鈦。

9、如權(quán)利要求1所述的可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，其特征在于，該頂層金屬為銅。

10、如權(quán)利要求1所述的可避免被頂層金屬腐蝕的金屬墊制作方法，其特征在于，該金屬層為鋁，相應(yīng)地該金屬墊為鋁墊。