[發明專利]一種自對準形成上電極的WOx電阻存儲器及其制造方法

無效

• 申請號: 200710045938.5
• 申請日: 2007-09-13
• 公開（公告）號: CN101159284A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 林殷茵;呂杭炳;唐立;尹明;宋雅麗;陳邦明
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00;H01L21/82
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種與鋁互連工藝集成的WO_x電阻存儲器，其特征在于包括

下電極，為互連線層間鎢栓塞；

在所述鎢栓塞上方形成的犧牲介質層和在犧牲介質層中形成的孔洞；

位于所述孔洞底部的鎢栓塞氧化形成的WO_x存儲介質，1＜x≤3，以及

以自對準方式形成于所述的WO_x存儲介質之上和所述的犧牲介質層孔洞之中的金屬上電極。

2.根據權利要求1所述的電阻存儲器，其特征在于包括，沉積在WO_x存儲介質之的犧牲介質層。

3.一種制作如權利要求1所述的WO_x電阻存儲器的方法，其特征在于存儲器件的上電極以自對準方式形成，具體步驟為：

在前端工藝結束后，形成鎢栓塞；

在所述鎢栓塞上方形成犧牲質層；

在需要制備存儲介質的鎢栓塞上方的犧牲質層中形成孔洞，而不需要制作存儲器的位置由犧牲介質層保護；

以犧牲質層為掩模將位于所述孔洞底部的鎢栓塞氧化形成WO_x存儲介質；

采用自對準方式在孔洞中填充上電極金屬材料；

采用化學機械拋光方法磨除多余的上電極材料，形成上電極位于所述的犧牲介質層孔洞中的結構，在接下來的工藝集成過程中，上電極做為存儲介質的保護層；

以上電極為掩膜，回刻蝕犧牲介質層，暴露不需要制作存儲器；

進一步采用常規的鋁互連工藝進行后續工藝步驟，包括沉積焊接層、互連金屬層、抗反射層，通過光刻、刻蝕，完成金屬布線。

4.根據權利要求4所述的WO_x電阻存儲器的制作方法，其特征在于還包括：

自對準方式在所述孔洞中填充上電極金屬材料之前，同樣采用自對準方式在所述孔洞中填充一介質層。