[發(fā)明專利]銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710044342.3 | 申請日: | 2007-07-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101352833A | 公開(公告)日: | 2009-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賈麗麗;李福洪 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | B24B37/04 | 分類號(hào): | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化學(xué) 機(jī)械 研磨 方法 | ||
1.一種銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,用于平坦化半導(dǎo)體基底上的銅金 屬層,包括,執(zhí)行第一階段的研磨去除半導(dǎo)體基底上的銅金屬層;執(zhí)行 第二階段的研磨,移除所述銅金屬層下的阻擋層;其特征在于,該第二 階段研磨包括如下步驟:
用研磨劑進(jìn)行主研磨;
完成主研磨后,用腐蝕抑制劑進(jìn)行研磨;
用腐蝕劑進(jìn)行研磨后,所述腐蝕抑制劑與所述銅金屬層表面形成保 護(hù)層,保護(hù)所述銅金屬層在后續(xù)的去離子水清洗中不受腐蝕,再用去離 子水進(jìn)行研磨、沖洗。
2.如權(quán)利要求1所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于:所 述研磨劑中具有腐蝕抑制劑。
3.如權(quán)利要求1所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于,該 方法進(jìn)一步包括:用去離子水進(jìn)行研磨、沖洗后,繼續(xù)向所述半導(dǎo)體基 底表面供給腐蝕抑制劑。
4.如權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方 法,其特征在于:所述腐蝕抑制劑為苯并三氮唑、甲基苯駢三氮唑或三 乙醇胺中的一種。
5.如權(quán)利要求4所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于:所 述腐蝕抑制劑供給流量為10~300cc/s。
6.如權(quán)利要求1所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于:所 述第一階段的研磨包括如下步驟:
執(zhí)行第一步研磨,移除所述銅表面的氧化物以及部分銅金屬層;
執(zhí)行第二步研磨,移除所述半導(dǎo)體基底上剩余的銅金屬層。
7.如權(quán)利要求6所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于,所 述執(zhí)行第一步研磨,移除所述銅表面的氧化物以及部分銅金屬層的步驟 包括:
用第一研磨劑進(jìn)行主研磨;
完成用第一研磨劑的主研磨后,用腐蝕抑制劑進(jìn)行研磨;
用去離子水進(jìn)行研磨、沖洗。
8.如權(quán)利要求7所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于:所 述第一研磨劑中具有腐蝕抑制劑。
9.如權(quán)利要求6所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于,所 述執(zhí)行第二步研磨,移除所述半導(dǎo)體基底上剩余的銅金屬層的步驟包 括:
用第二研磨劑進(jìn)行主研磨;
完成用第二研磨劑的主研磨后,用腐蝕抑制劑進(jìn)行研磨;
用去離子水進(jìn)行沖洗。
10.如權(quán)利要求9所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于:所 述第二研磨劑中具腐蝕抑制劑。
11.如權(quán)利要求1所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于,該 方法進(jìn)一步包括:進(jìn)行第三階段的研磨,移除阻擋層下的部分材料層。
12.如權(quán)利要求11所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于: 在所述第三階段的研磨的主研磨后用腐蝕抑制劑進(jìn)行研磨。
13.一種銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,用于平坦化半導(dǎo)體基底上的銅金 屬層,其特征在于,包括:
提供研磨裝置,該研磨裝置具有數(shù)個(gè)研磨頭,
用所述數(shù)個(gè)研磨頭對不同半導(dǎo)體基底進(jìn)行的研磨;
對研磨時(shí)間較短的半導(dǎo)體基底,在完成主研磨之后、進(jìn)行去離子水 研磨沖洗之前,向該半導(dǎo)體基底表面供給腐蝕抑制劑,所述腐蝕抑制劑 與所述銅金屬層表面形成保護(hù)層,保護(hù)所述銅金屬層在后續(xù)的去離子水 清洗中不受腐蝕。
14.如權(quán)利要求13所述的銅化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于: 所述腐蝕抑制劑為苯并三氮唑、甲基苯駢三氮唑或三乙醇胺中的一種。
15.一種化學(xué)機(jī)械研磨的方法,用于平坦化半導(dǎo)體基底上的金屬層, 其特征在于,包括:
用研磨劑進(jìn)行主研磨;
完成主研磨后,用腐蝕抑制劑進(jìn)行研磨;
用腐蝕抑制劑進(jìn)行研磨后,所述腐蝕抑制劑與銅金屬層表面形成保 護(hù)層,保護(hù)所述銅金屬層在后續(xù)的去離子水清洗中不受腐蝕,再用去離 子水進(jìn)行研磨、沖洗。
16.如權(quán)利要求15所述的化學(xué)機(jī)械研磨的方法,其特征在于:所 述腐蝕抑制劑為苯并三氮唑、甲基苯駢三氮唑或三乙醇胺中的一種。
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