[發(fā)明專利]CMOS圖像傳感器的光電信號處理電路及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710043668.4
• 申請日: 2007-07-11
• 公開（公告）號: CN101345828A
• 公開（公告）日: 2009-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃碧珍;萬濤濤;任曉慧;曹慶紅
• 申請（專利權(quán)）人: 上海銳晶電子科技有限公司
• 主分類號: H04N5/335
• 分類號: H04N5/335
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種CMOS圖像傳感器的光電信號處理電路，其特征在于，包括，

像素單元，用于在接收的行復(fù)位信號為高電平時，對光敏二極管復(fù)位，并在接收的行使能信號首次為高電平時，輸出光敏二極管復(fù)位電壓作為曝光前光敏二極管電壓信號以及在接收的行使能信號再次為高電平時，輸出曝光后光敏二極管電壓信號；

電壓采樣電路，用于在接收的復(fù)位采樣控制信號為高電平時，接收曝光前光敏二極管電壓信號并輸出曝光前電壓采樣信號以及在接收的曝光采樣控制信號為高電平時，接收曝光后光敏二極管電壓信號并輸出曝光后電壓采樣信號；

電壓比較電路，將接收的曝光前電壓采樣信號與曝光后電壓采樣信號進行比較，并將比較結(jié)果作為圖像信號輸出。

2.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理電路，其特征在于，所述電壓比較電路包括用于存儲所接收的曝光前電壓采樣信號的存儲器以及用于調(diào)用存儲器存儲的曝光前電壓采樣信號并與所接收的曝光后電壓采樣信號進行比較，并將比較結(jié)果作為圖像信號輸出的比較器。

3.如權(quán)利要求1所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理電路，其特征在于，所述行使能信號在所述行復(fù)位信號由高電平達到低電平時，首次由低電平變高電平。

4.如權(quán)利要求3所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理電路，其特征在于，所述復(fù)位采樣控制信號在所述行使能信號首次由低電平達到高電平時，由低電平變高電平。

5.如權(quán)利要求4所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理電路，其特征在于，所述行使能信號在所述復(fù)位采樣控制信號由高電平達到低電平時，首次由高電平變低電平。

6.如權(quán)利要求5所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理電路，其特征在于，所述曝光采樣控制信號在所述行使能信號再次為高電平時，由低電平變高電平。

7.如權(quán)利要求6所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理電路，其特征在于，所述行使能信號再次為高電平的時間與行使能信號首次為高電平的時間間隔等于光敏二極管的曝光時間。

8.一種CMOS圖像傳感器的光電信號處理方法，其特征在于，包括下列步驟，

在光敏二極管曝光前，在行復(fù)位信號為高電平時對光敏二極管復(fù)位；

在光敏二極管曝光前，在行使能信號首次為高電平，且復(fù)位采樣控制信號為高電平時采樣光敏二極管復(fù)位電壓作為曝光前光敏二極管電壓信號；

在光敏二極管曝光后，在行使能信號再次為高電平，且在曝光采樣控制信號為高電平時采樣曝光后光敏二極管電壓信號；

比較采樣的曝光后光敏二極管電壓信號與曝光前光敏二極管電壓信號，并將比較結(jié)果作為圖像信號輸出。

9.如權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理方法，其特征在于，所述采樣光敏二極管復(fù)位電壓作為曝光前光敏二極管電壓信號后，將曝光前光敏二極管電壓信號暫存。

10.如權(quán)利要求8所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理方法，其特征在于，所述行使能信號在所述行復(fù)位信號由高電平達到低電平時，首次由低電平變高電平。

11.如權(quán)利要求10所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理方法，其特征在于，所述復(fù)位采樣控制信號在所述行使能信號首次由低電平達到高電平時，由低電平變高電平。

12.如權(quán)利要求11所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理方法，其特征在于，所述行使能信號在所述復(fù)位采樣控制信號由高電平達到低電平時，首次由高電平變低電平。

13.如權(quán)利要求12所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理方法，其特征在于，所述曝光采樣控制信號在所述行使能信號再次達到高電平時，由低電平變高電平。

14.如權(quán)利要求13所述的CMOS圖像傳感器的光電信號處理方法，其特征在于，所述行使能信號再次為高電平的時間與行使能信號首次為高電平的時間間隔等于光敏二極管的曝光時間。