[發明專利]檢測及建立應用于噪聲的MOS管模型的方法有效
| 申請號： | 200710042459.8 | 申請日： | 2007-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN101329695A | 公開（公告）日： | 2008-12-24 |
| 發明（設計）人： | 黃俊誠;趙芳芳 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 檢測 建立 應用于 噪聲 mos 模型 方法 | ||
1.一種建立應用于噪聲的MOS管模型的方法，其特征在于，包括下列步驟，
測量不同晶粒上的MOS管的1/f噪聲；
根據所得到的MOS管的1/f噪聲數據，建立噪聲分布圖；
至少添加一個噪聲模型文件中與1/f的噪聲有關的參數的變化量到MOS管庫文件中來對MOS管進行噪聲仿真；
如果仿真結果未覆蓋噪聲分布圖中的噪聲數據，則繼續改變該變化量的值進行仿真直到仿真結果能夠覆蓋噪聲分布圖中的噪聲數據；
如果仿真結果覆蓋噪聲分布圖中的數據，則將相應的變化量的值代入到MOS管庫文件中作為應用于噪聲的MOS管模型；
所述噪聲分布圖是在一個選定頻率下，以NMOS管的1/f噪聲為橫坐標，以PMOS管的1/f噪聲為縱坐標或者以PMOS管的1/f噪聲為橫坐標，以NMOS管的1/f噪聲為縱坐標建立的；
所述仿真結果是以選定頻率下的四個MOS管的極限情況FF、SS、FNSP和SNFP下的1/f噪聲作為四個頂點而劃出的變化范圍。
2.如權利要求1所述的建立噪聲模型的方法，其特征在于，所述的1/f噪聲是從不同晶圓的不同晶粒上的PMOS管或NMOS管上測得的。
3.如權利要求1或2所述的建立噪聲模型的方法，其特征在于，測量PMOS管或NMOS管1/f噪聲的頻率范圍為4Hz～100kHz。
4.如權利要求3所述的建立噪聲模型的方法，其特征在于，PMOS管或NMOS管的1/f噪聲是在線性區或飽和區下測量的。
5.如權利要求4所述的建立噪聲模型的方法，其特征在于，通過測量PMOS管或NMOS管的漏極電流波動得到所述PMOS管或NMOS管的漏極電流噪聲功率譜密度來表示PMOS管或NMOS管的1/f噪聲。
6.一種檢測應用于噪聲的MOS管模型的方法，其特征在于，包括下列步驟，
測量不同晶粒上的MOS管的1/f噪聲；
根據所得到的MOS管的1/f噪聲數據，建立噪聲分布圖；
應用包含噪聲模型文件的MOS管庫文件作為MOS管噪聲仿真模型對于MOS管進行噪聲仿真；
如果仿真結果未覆蓋噪聲分布圖中的噪聲數據，則該MOS管模型不能很精確地進行噪聲仿真；
如果仿真結果覆蓋噪聲分布圖中的噪聲數據，則該MOS管模型能夠很精確地進行噪聲仿真；
所述噪聲分布圖是在一個選定頻率下，以NMOS管的1/f噪聲為橫坐標，以PMOS管的1/f噪聲為縱坐標或者以PMOS管的1/f噪聲為橫坐標，以NMOS管的1/f噪聲為縱坐標建立的；
所述仿真結果是以選定頻率下的四個MOS管的極限情況FF、SS、FNSP和SNFP下的1/f噪聲作為四個頂點而劃出的變化范圍。
7.如權利要求6述的檢測應用于噪聲的MOS管模型的方法，其特征在于，所述的1/f噪聲是從不同晶圓的不同晶粒上的PMOS管或NMOS管上測得的。
8.如權利要求5或6述的檢測應用于噪聲的MOS管模型的方法，其特征在于，測量PMOS管或NMOS管1/f噪聲的頻率范圍為4Hz～100kHz。
9.如權利要求8的檢測應用于噪聲的MOS管模型的方法，其特征在于，PMOS管或NMOS管的1/f噪聲是在線性區或飽和區下測量的。
10.如權利要求9的檢測應用于噪聲的MOS管模型的方法，其特征在于，通過測量PMOS管或NMOS管的漏極電流波動得到所述PMOS管或NMOS管的漏極電流噪聲功率譜密度來表示PMOS管或NMOS管的1/f噪聲。
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