[發明專利]一種構筑亞10納米間隙及其陣列的方法有效
| 申請號： | 200710041612.5 | 申請日： | 2007-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN101067719A | 公開（公告）日： | 2007-11-07 |
| 發明（設計）人： | 孫艷;陳鑫;吳杰;戴寧 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 構筑 10 納米 間隙 及其 陣列 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種構筑亞10納米間隙陣列的方法，其特征在于包括四個步驟：
A)圖案的設計：利用GDSII軟件設計圖案，圖案是頂點連接但不交疊的兩個三角形，并且列陣排列；
B)襯底的準備：首先按照半導體標準工藝處理襯底，然后在襯底上用勻膠機旋涂對電子束敏感的光刻膠，并加溫固化，固化后的光刻膠厚度為20-300納米；
C)電子束刻蝕：由與計算機連接的圖形發生器控制場發射掃描電子顯微鏡對襯底上的光刻膠按預先設計好的圖案進行刻蝕；
根據不同的光刻膠，在設定電壓下，通過控制電子束的電流和曝光劑量，調節兩個三角形連接處的納米間隙結構的尺寸大小；
然后通過常規的半導體工藝中的顯影和定影得到襯底表面具有亞10納米間隙結構圖案的陣列；
D)對襯底表面的亞10納米間隙結構圖案，采用濺射或者熱蒸發的方法，先沉積上一層鉻，再沉積5-200納米厚度的Au，最后在有機溶劑中除去光刻膠，得到亞10納米間隙陣列。
2.根據權利要求1的構筑亞10納米間隙陣列的方法，其特征在于：所述襯底的材料為硅、砷化鎵或導電玻璃。
3.根據權利要求1的構筑亞10納米間隙陣列的方法，其特征在于：所述的對電子束敏感的光刻膠為正膠或負膠。
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