[發(fā)明專利]掩模版及使用掩模版調(diào)式光刻機(jī)套刻精度的匹配方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710041576.2 | 申請日: | 2007-06-01 |
| 公開(公告)號: | CN101315514A | 公開(公告)日: | 2008-12-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 朱文淵;楊曉松 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 2012*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 模版 使用 調(diào)式 光刻 機(jī)套 精度 匹配 方法 | ||
1.一種掩模版,其特征在于,該掩模版具有至少兩種不同類型的對準(zhǔn)標(biāo)記,不同類型的對準(zhǔn)標(biāo)記分別與具有不同類型的對準(zhǔn)系統(tǒng)和對準(zhǔn)方法的不同類型光刻機(jī)相匹配。
2.一種使用如權(quán)利要求1所述掩模版調(diào)式光刻機(jī)套刻精度的匹配方法,其特征在于,該方法包括如下步驟:
提供所述具有至少兩種類型對準(zhǔn)標(biāo)記的掩模版;
提供光刻機(jī),其具有與掩模版至少兩種類型對準(zhǔn)標(biāo)記相匹配的對準(zhǔn)系統(tǒng)模塊及補(bǔ)正對準(zhǔn)系統(tǒng)控制模塊;
提供數(shù)個(gè)具有不同類型對準(zhǔn)標(biāo)記的測試晶圓;
根據(jù)每一測試晶圓的對準(zhǔn)標(biāo)記,啟動與其相對應(yīng)的對準(zhǔn)系統(tǒng)模塊,與掩模版上相匹配的對準(zhǔn)標(biāo)記對齊,對測試晶圓進(jìn)行光刻圖形步驟;
對光刻圖形結(jié)果進(jìn)行匹配測試;
若匹配測試所得的套刻精度值不符合規(guī)格,調(diào)整補(bǔ)正對準(zhǔn)系統(tǒng)控制模塊的數(shù)據(jù)建立補(bǔ)正值,循環(huán)進(jìn)行匹配測試,直至套刻精度符合規(guī)格。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





