[發(fā)明專利]淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)平坦化性能檢測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710041359.3 | 申請日： | 2007-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN101315901A | 公開（公告）日： | 2008-12-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 劉閩鋒;廖奇泊;周雯 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 溝槽 隔離 結(jié)構(gòu) 平坦 化性 檢測 方法 | ||
1.一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)平坦化性能檢測方法，其特征在于，包括∶提供形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的晶圓，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的隔離氧化層進行過平坦化處理；在所述晶圓上制作集成電路；對所述晶圓進行晶圓可接受性測試；根據(jù)可接受性測試數(shù)據(jù)判斷淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)平坦化處理性能；選出淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)平坦化處理不合格的晶圓；其中，所述晶圓可接受性測試的測試數(shù)據(jù)為源極和漏極之間的擊穿電壓，所述晶圓上制作的集成電路包括NMOS或者PMOS晶體管；所述集成電路為PMOS晶體管時，源極和漏極之間的擊穿電壓絕對值小于7.1V時，所述晶圓的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)平坦化性能不合格；所述集成電路為NMOS晶體管時，源極和漏極之間的擊穿電壓絕對值小于9.0V時，所述晶圓的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)平坦化性能不合格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)平坦化性能檢測方法，其特征在于，所述平坦化處理工藝為化學機械拋光工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
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