[發明專利]修補帶缺陷光罩圖形的方法有效
| 申請號： | 200710041109.X | 申請日： | 2007-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN101311821A | 公開（公告）日： | 2008-11-26 |
| 發明（設計）人： | 胡振宇 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 修補 缺陷 圖形 方法 | ||
1.一種修補光罩上帶缺陷光罩圖形的方法，其特征在于，包括下列步驟：
提供光罩與布局圖形，所述光罩下方形成有抗反射層、鉻膜層、透明基板；
將布局圖形轉移至光罩上形成光罩圖形；
獲取光罩上帶缺陷光罩圖形及其缺陷部分任意一點位置坐標，所述帶缺陷光罩圖形是光罩上沾染少許環境中的微粒，曝光能量不均或過度以及光刻膠材料問題而產生；
根據任意一點的位置坐標將帶缺陷光罩圖形對應的布局圖形導出；
對導出的帶缺陷光罩圖形對應的布局圖形進行光學近似修正；
用聚焦離子束將修正后的帶缺陷光罩圖形對應的布局圖形轉移至光罩上修補帶缺陷光罩圖形，將帶缺陷光罩圖形的缺陷部分抗反射層和鉻膜層去除。
2.根據權利要求1所述修補光罩上帶缺陷光罩圖形的方法，其特征在于：用光罩檢驗工具獲取帶缺陷光罩圖形及缺陷部分任意一點位置坐標。
3.根據權利要求1所述修補光罩上帶缺陷光罩圖形的方法，其特征在于：通過聚焦離子束轟擊或離子反應沉積的方法修補帶缺陷光罩圖形。
4.根據權利要求3所述修補光罩上帶缺陷光罩圖形的方法，其特征在于：所述聚焦離子束為聚焦鎵離子束。
5.根據權利要求1所述修補光罩上帶缺陷光罩圖形的方法，其特征在于：從光罩版圖的原始數據庫中將帶缺陷光罩圖形對應的布局圖形導出。
6.根據權利要求1所述修補光罩上帶缺陷光罩圖形的方法，其特征在于：所述光學近似修正為使用光學近似修正軟件模擬曝光、顯影和蝕刻工藝時所需的光學參數及圖形數據。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
