[發明專利]光學近距修正的方法

有效

• 申請號: 200710041108.5
• 申請日: 2007-05-23
• 公開（公告）號: CN101311822A
• 公開（公告）日: 2008-11-26
• 發明（設計）人: 劉慶煒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/14
• 分類號: G03F1/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及光學近距修正(OPC，OpticalProximity?Correction)的方法，尤其涉及光強近距修正的方法。

背景技術

隨著半導體制造技術的飛速發展，半導體器件為了達到更快的運算速度、更大的資料存儲量以及更多的功能，半導體芯片向更高集成度方向發展；而半導體芯片的集成度越高，半導體器件的臨界尺寸(CD，Critical?Dimension)越小。

為了實現微小的CD，必須使光掩模上更加精細的圖像聚焦在半導體襯底的光刻膠上，并且必須增強光學分辨率，以制造接近光掩模工藝中光學分辨率極限的半導體器件。分辨率增強技術包括利用短波長光源、相移掩模方法和利用軸外照射(OAI，Off-Axis?Illumination)的方法。申請號為02131645.7的中國專利申請公開了一種軸外照射方法，理論上講，在利用OAI的情況下，分辨率大約比利用傳統照射時的分辨率高約1.5倍，并且能夠增強聚焦深度(DOF，depth?of?focus)。通過OAI技術，由光學系統印制在半導體襯底上CD的最小空間周期可以被進一步縮短，但是會產生光學近距效應(OPE，Optical?Proximity?Effect)。光學近距效應源于當光掩模上節距非常靠近的電路圖形以微影方式轉移到半導體襯底的光刻膠上時，由于相鄰圖形的光波互相作用，亦即衍射，而造成最后轉移到光刻膠上的圖形扭曲失真，產生依圖形形狀而定的變動。在深亞微米器件中，由于電路圖形非常密集，光學近距效應會降低光學系統對于曝光圖形的分辨率。

現有技術通常將一系列光學參數收集起來，建立光學近距修正模型，然后將要校正的光學參數放入光學近距修正模型中進行按擬合并修正。但是由于光學近距修正模型中所包含的光學參數有限，因此會出現有些需要校正的光學參數會不處于光學近接修正模型內的情況。如圖1A和1B所示，在制作待曝光圖形過程中，形成待曝光圖形部分的光強值最小，而如果光強最小值不處于光強近距修正模型內的話，光強最小值屬于沒有小至接近0～0.02勒克斯(圖1A橢圓形標示部分)，而會造成待曝光圖形可能會產生變細或斷開的現象(圖1B方形所示部分)。如圖2A和2B所示，在制作待曝光圖形過程中，形成待曝光圖形之間空白區的光強值最大，如果這個光強最大值不處于光強近距修正模型內，光強最大值屬于沒有大至0.2～0.3勒克斯(圖2A橢圓形標出部分)，進而造成待曝光圖形之間可能會產生橋接的現象(圖2B方形標出部分)。

現有技術如果待曝光圖形上的光強最小值處于光強近距修正模型外，容易使待曝光圖形產生變細或斷開的現象，而待曝光圖形以外空白區的光強最大值處于光強度近距修正模型之外，容易使待曝光圖形之間產生橋接的現象。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種光學近距修正的方法，防止待曝光圖形產生變細或斷開或待曝光圖形之間橋接的現象。

為解決上述問題，本發明提供一種光學近距修正的方法，包括下列步驟：

a.計算待曝光圖形上的光強最小值和待曝光圖形以外空白區的光強最大值；

b.判斷光強最大值和光強最小值是否位于光強近距修正模型內；

c.如果光強最大值或光強最小值位于光強近距修正模型內，則將光強最大值或最小值輸出布局軟件；

d.如果光強大值或光強最小值位于光強近距修正模型外，則對光強最大值或光強最小值進行光強近距修正，使修正后的光強最大值或光強最小值位于光強近距修正模型內，然后將修正后的光強最大值或光強最小值輸出布局軟件。

步驟a還包括：將待曝光圖形的各邊以及待曝光圖形以外空白區的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸80％～120％的分割邊；在分割邊上選取評估點，并對待曝光圖形上的分割邊評估點進行光強最小值計算，對待曝光圖形以外空白區上的分割邊評估點進行光強最大值計算。

分割邊評估點位置＝分割邊中間點±分割邊長10％。

所述光強近距修正指如果待曝光圖形的分割邊上光強最小值位于光強近距修正模型外，則將待曝光圖形的分割邊向外移動，獲得對應的待曝光圖形修正邊，使待曝光圖形修正邊上評估點的光強最小值位于光強近距修正模型內；如果待曝光圖形之間空白區的光強最大值位于光強近距修正模型外，則將空白區的分割邊向內移動，獲得對應的空白區修正邊，使空白區修正邊上評估點的光強最大值位于光強近距修正模型內。

修正邊評估點位置＝修正邊中間點±修正邊長10％。