[發(fā)明專利]光學(xué)近距修正的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710041108.5 | 申請日: | 2007-05-23 |
| 公開(公告)號: | CN101311822A | 公開(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉慶煒 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/14 | 分類號: | G03F1/14 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 201203*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 近距 修正 方法 | ||
1.一種光學(xué)近距修正的方法,其特征在于,包括下列步驟:
a.計算待曝光圖形上的光強最小值和待曝光圖形以外空白區(qū)的光強最大值;
b.判斷光強最大值是否位于0.2~0.3勒克斯范圍內(nèi),光強最小值是否位于0~0.02勒克斯范圍內(nèi);
c.如果光強最大值位于0.2~0.3勒克斯范圍內(nèi)、光強最小值位于0~0.02勒克斯范圍內(nèi),則將光強最大值或最小值從布局軟件輸出;
d.如果光強最大值位于0.2~0.3勒克斯范圍外、或光強最小值位于0~0.02勒克斯范圍外,則對光強最大值或光強最小值進行光強近距修正,使修正后的光強最大值位于0.2~0.3勒克斯范圍內(nèi)、或光強最小值位于0~0.02勒克斯范圍內(nèi),然后將修正后的光強最大值或光強最小值從布局軟件輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述光學(xué)近距修正的方法,其特征在于:步驟a還包括:將待曝光圖形的各邊以及待曝光圖形以外空白區(qū)的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸80%~120%的分割邊;
在分割邊上選取評估點,并對待曝光圖形上的分割邊評估點進行光強最小值計算,對待曝光圖形以外空白區(qū)上的分割邊評估點進行光強最大值計算。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述光學(xué)近距修正的方法,其特征在于:分割邊評估點位置=分割邊中間點±分割邊長10%。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述光學(xué)近距修正的方法,其特征在于:所述光強近距修正指如果待曝光圖形的分割邊上光強最小值位于0~0.02勒克斯范圍外,則將待曝光圖形的分割邊向外移動,獲得對應(yīng)的待曝光圖形修正邊,使待曝光圖形修正邊上評估點的光強最小值位于0~0.02勒克斯范圍內(nèi);如果待曝光圖形之間空白區(qū)的光強最大值位于0.2~0.3勒克斯范圍外,則將空白區(qū)的分割邊向內(nèi)移動,獲得對應(yīng)的空白區(qū)修正邊,使空白區(qū)修正邊上評估點的光強最大值位于0.2~0.3勒克斯范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述光學(xué)近距修正的方法,其特征在于:修正邊評估點位置=修正邊中間點±修正邊長10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述光學(xué)近距修正的方法,其特征在于:光強最大值和光強最小值從布局軟件輸出后進行光罩制作。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





