[發(fā)明專(zhuān)利]一種消除蝕刻圖形偏移的方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710040530.9
• 申請(qǐng)日: 2007-05-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101303963A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪新學(xué);陳曉軍;楊晨;黃光瑜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01J37/32;H05H1/00;C23F4/00
• 代理公司: 上海智信專(zhuān)利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.一種消除蝕刻圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在于：所述消除圖形 轉(zhuǎn)移的方法通過(guò)在等離子轟擊裝置上應(yīng)用厚度薄的聚焦環(huán)配件以保 持等離子轟擊的方向，所述聚焦環(huán)厚度范圍為3～10毫米，所述聚焦 環(huán)的厚度與所述等離子轟擊裝置的下電極的厚度基本持平。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消除蝕刻圖形轉(zhuǎn)移的方法，其特征在 于：所述聚焦環(huán)厚度的取值為5毫米。

3.一種消除蝕刻圖形轉(zhuǎn)移的裝置，其結(jié)構(gòu)至少包括：

下電極，為晶片提供托盤(pán)，并使晶片在蝕刻過(guò)程中保持恒溫；

聚焦環(huán)，將等離子體聚焦到晶片，并保護(hù)下電極；

晶片，即被蝕刻晶片；

所述聚焦環(huán)在下電極外圍；所述晶片被放置在下電極上方；

其特征在于：所述聚焦環(huán)配件的厚度薄，其厚度范圍為3～10毫 米；所述聚焦環(huán)的厚度與所述下電極的厚度基本持平。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的消除蝕刻圖形轉(zhuǎn)移的裝置，其特征在 于：所述聚焦環(huán)厚度的取值為5毫米。