[發明專利]淺溝槽形成方法及淺溝槽結構有效
| 申請號： | 200710039251.0 | 申請日： | 2007-04-03 |
| 公開（公告）號： | CN101281866A | 公開（公告）日： | 2008-10-08 |
| 發明（設計）人： | 何德飚;宋偉基 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/308 | 分類號： | H01L21/308;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李文紅 |
| 地址： | 201203*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 形成 方法 結構 | ||
1.?一種淺溝槽形成方法，包括：
提供半導體基底；
在所述半導體基底上順序形成鈍化層及輔助介質層；
圖形化所述輔助介質層；
以圖形化的所述輔助介質層為硬掩膜，刻蝕所述鈍化層及部分所述半導體基底，以形成所述淺溝槽。
2.?根據權利要求1所述的淺溝槽形成方法，其特征在于：所述輔助介質層包含二氧化硅、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃或硼磷硅玻璃中的一種或其組合。
3.?根據權利要求1或2所述的淺溝槽形成方法，其特征在于：所述淺溝槽形成方法還包括：在刻蝕所述鈍化層及部分所述半導體基底后，去除殘余的所述輔助介質層。
4.?根據權利要求3所述的淺溝槽形成方法，其特征在于：采用氫氟酸溶液去除殘余的所述輔助介質層。
5.?根據權利要求4所述的淺溝槽形成方法，其特征在于：所述氫氟酸溶液的濃度小于3％。
6.?一種淺溝槽形成方法，包括：
提供半導體基底；
在所述半導體基底上順序形成鈍化層、輔助介質層；
圖形化所述輔助介質層及所述鈍化層；
以圖形化的所述輔助介質層及所述鈍化層為硬掩膜，刻蝕部分所述半導體基底，以形成所述淺溝槽。
7.?根據權利要求6所述的淺溝槽形成方法，其特征在于：所述輔助介質層包含二氧化硅、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃或硼磷硅玻璃中的一種或其組合。
8.?一種淺溝槽結構，包括半導體基底、形成于所述半導體基底上的鈍化層以及貫穿所述鈍化層及部分所述半導體基底的淺溝槽，其特征在于：所述淺溝槽結構還包括輔助介質層，所述輔助介質層形成于所述鈍化層上，所述淺溝槽貫穿所述輔助介質層。
9.?根據權利要求8所述的淺溝槽結構，其特征在于：所述輔助介質層包含二氧化硅、氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃或硼磷硅玻璃中的一種或其組合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
