[發(fā)明專利]防止氟摻雜氧化膜表面產(chǎn)生晶體狀缺陷的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710037467.3
• 申請(qǐng)日: 2007-02-13
• 公開（公告）號(hào): CN101246823A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鮑震雷;曹涯路;趙東濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3105
• 分類號(hào): H01L21/3105;H01L21/311
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.?一種防止氟摻雜氧化膜表面產(chǎn)生晶體狀缺陷的方法，其特征在于：所述方法在晶圓表面完成氟摻雜氧化膜的沉積后，采用PH值介于5～7的弱酸對(duì)該晶圓執(zhí)行一清洗步驟。

2.?如權(quán)利要求1所述的防止氟摻雜氧化膜表面產(chǎn)生晶體狀缺陷的方法，其特征在于：所述弱酸的PH值介于6～7。

3.?如權(quán)利要求1或2所述的防止氟摻雜氧化膜表面產(chǎn)生晶體狀缺陷的方法，其特征在于：所述的弱酸是碳酸。

4.?如權(quán)利要求1所述的防止氟摻雜氧化膜表面產(chǎn)生晶體狀缺陷的方法，其特征在于：所述的氟摻雜氧化膜是氟硅玻璃。

5.?如權(quán)利要求1所述的防止氟摻雜氧化膜表面產(chǎn)生晶體狀缺陷的方法，其特征在于：所述的氟摻雜氧化膜是SiON-F。

6.?如權(quán)利要求1所述的防止氟摻雜氧化膜表面產(chǎn)生晶體狀缺陷的方法，其特征在于：所述的沉積是化學(xué)氣相沉積。