[發明專利]一種基于金屬基板的場發射顯示器柵極板及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 200710028832.4 | 申請日： | 2007-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN101083198A | 公開（公告）日： | 2007-12-05 |
| 發明（設計）人： | 陳軍;楊國威;許寧生;鄧少芝 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | H01J29/02 | 分類號： | H01J29/02;H01J29/46;H01J1/46;H01J9/14;H01J31/12 |
| 代理公司： | 廣州新諾專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 華輝 |
| 地址： | 510275廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 金屬 發射 顯示器 柵極 及其 制備 方法 應用 | ||
1、一種基于金屬基板的分立結構FED柵極板，其特征在于：所述的柵極板以金屬板為基板，基板上開有貫通基板的柵極孔陣列，在金屬基板的上下表面及柵極孔的孔壁均覆蓋絕緣層，金屬基板上表面或下表面絕緣層上制備有金屬柵極電極。
2、按權利要求1所述的基于金屬基板的分立結構FED柵極板，其特征在于：所述的金屬柵極電極為條狀電極。
3、按權利要求2所述的基于金屬基板的分立結構FED柵極板，其特征在于：所述的金屬柵極電極設置于柵極孔旁，與柵極孔陣列的長或寬度方向平行設置。
4、按權利要求1所述的基于金屬基板的分立結構FED柵極板，其特征在于：所述的絕緣層由內層的薄膜絕緣過渡層及外層的厚膜絕緣層組成；薄膜絕緣過渡層的厚度為0.2～2μm，材料為二氧化硅、氮化硅或氧化鋁。
5、一種基于金屬基板的分立結構FED柵極板的制備方法，其制備工藝流程如下：
(1)在金屬基板上制作柵極孔陣列；
(2)拋光金屬基板，使表面光滑并使柵極孔邊緣成弧形過渡的形貌；
(3)利用絲網印刷的方法在基板的上下兩個表面及柵極孔壁制備厚膜絕緣層；
(4)在金屬基板上或下表面絕緣層上制備金屬柵極電極。
6、如權利要求5所述的FED柵極板的制備方法，其特征在于：在制備厚膜絕緣層之前，先在基板上沉積一層薄膜絕緣過渡層，該過渡層的厚度為0.2～2μm，材料為二氧化硅、氮化硅或氧化鋁。
7、如權利要求5所述的FED柵極板的制備方法，其特征在于：所述厚膜絕緣層的厚度為10微米。
8、如權利要求5所述的FED柵極板的制備方法，其特征在于：采用光刻工藝在絕緣層的表面制備金屬柵極電極圖形。
9、如權利要求5所述的FED柵極板的制備方法，其特征在于：采用物理氣相沉積法在絕緣層上面制備金屬柵極電極；所述沉積法是電子束蒸發法、電阻加熱蒸發法或磁控濺射法；所沉積的金屬柵極電極材料是鋁、鉻。
10、權利要求1至4任一項所述的基于金屬基板的分立結構FED柵極板在場發射顯示器件上的應用。
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