[發明專利]化學腐蝕法制備3C－SiC納米顆粒的方法

無效

• 申請號: 200710023478.6
• 申請日: 2007-06-05
• 公開（公告）號: CN101058725A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 朱駿;吳興龍;沈劍滄;劉釗
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C09K11/65
• 分類號: C09K11/65;C09K11/56
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司
• 代理人: 湯志武;王鵬翔

1、化學腐蝕法制備3C-SiC納米顆粒的方法，其特征是用氫氟酸、硝酸的混和液腐蝕普通3C-SiC粉末，所用原始粉末尺度為微米量級，腐蝕所用酸為濃度35％-45％的氫氟酸與濃度60％-70％的硝酸，體積比為2.0-3.0∶1.0；反應時混和酸是3C-SiC粉末的5-15倍，加熱至80℃-100℃，反應時間為0.5-2.0小時；冷卻后將反應后的酸液與粉末一起在高速離心機中離心，倒除上層酸液，取下層粉末，在烘箱中70℃-90℃進行干燥；在干燥后的粉末中加入去離子水或無水乙醇，超聲空化30-60分鐘，靜置數小時或離心沉淀去除下層沉淀物，取上層清液；此去離子水或無水乙醇清液中即含有尺寸小于8nm、平均尺寸3.8nm左右的3C-SiC納米顆粒。