[發明專利]異氰酸酯基烷氧基硅烷的制備方法有效
| 申請號: | 200710022617.3 | 申請日: | 2007-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN101307067A | 公開(公告)日: | 2008-11-19 |
| 發明(設計)人: | 陶榮輝;徐曉強;陳劍;趙世勇;李霞;方劍慧 | 申請(專利權)人: | 張家港市國泰華榮化工新材料有限公司 |
| 主分類號: | C07F7/18 | 分類號: | C07F7/18 |
| 代理公司: | 張家港市高松專利事務所 | 代理人: | 黃春松 |
| 地址: | 215631江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氰酸 酯基烷氧基 硅烷 制備 方法 | ||
1.異氰酸酯基烷氧基硅烷的制備方法,其特征在于:包括如下步驟:
(1)以氨基甲酸酯基烷氧基硅烷為原料,將氨基甲酸酯基烷氧基硅烷的pH值調到4—5;所述的調pH值時使用低沸點化合物SiCl4或SnCl4;
(2)常壓熱裂解經過步驟(1)處理后的氨基甲酸酯基烷氧基硅烷,得到含有異氰酸酯基烷氧基硅烷的混合物;
(3)再對步驟(2)得到的混合物進行蒸餾并收集餾分,得到異氰酸酯基烷氧基硅烷。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述的氨基甲酸酯基烷氧基硅烷選自
CH3OCONHCH2CH2CH2Si(OCH3)3
CH3OCONHCH2CH2CH2CH3Si(OCH3)2
CH3CH2OCONHCH2CH2CH2Si(OCH2CH3)3
CH3CH2OCONHCH2CH2CH2CH3Si(OCH2CH3)2
中的任意一種。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法,其特征在于:熱裂解溫度為?3000C~5000C。
4.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于:熱裂解溫度最優為3500C~4500C。
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