[發明專利]抑制襯底渦流效應的微電子機械電感及其制備方法

無效

• 申請號: 200710022360.1
• 申請日: 2007-05-15
• 公開（公告）號: CN101060027A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發明（設計）人: 廖小平;武銳
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01F17/00
• 分類號: H01F17/00;H01F41/00;H01P3/00;H01L27/00;H01L21/70
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1.一種抑制襯底渦流效應的微電子機械電感，其特征在于該電感以GaAs襯底(1)為襯底，在GaAs襯底(1)的上表面有一層AlGaAs薄膜(2)，在AlGaAs薄膜(2)的上表面有一層SiN介質層(3)，電感的上層線圈(5)懸空在SiN介質層(3)的上方，電感的上層線圈(5)的中心通過AlGaAs薄膜(2)上的電感下層引線(4)與第二共面波導信號線(62)連接，電感的上層線圈(5)的外邊緣連接第一共面波導信號線(61)；接地屏障(7)為插指形狀連接在第一共面波導地線(81)和第二共面波導地線(82)上的內側，并位于電感上層線圈(5)與AlGaAs薄膜(2)之間；第一共面波導信號線(61)、第二共面波導信號線(62)和第一共面波導地線(81)、第二共面波導地線(82)共同構成共面波導傳輸線。

2.一種如權利要求1所述的抑制襯底渦流效應的微電子機械電感的制備方法，其特征在于該方法具體包括以下步驟：

第一步.準備襯底，選用未摻雜的半絕緣砷化鎵作為GaAs襯底(1)；

第二步.在GaAs襯底(1)外延生長AlGaAs薄膜(2)：AlGaAs作為腐蝕自停止層，并將鋁鎵砷(AlGaAs)自停止層進行半絕緣化處理；

第三步.在AlGaAs薄膜(2)上涂光刻膠(9)并光刻共面波導傳輸線、接地屏障及下層引線：光刻刻蝕出共面波導傳輸線、電感下層引線(4)和與地線連接的接地屏障(7)；

第四步.在整個表面上第一次濺射Ti/Au/Ti層(10)，形成用于電鍍的底金種子層；

第五步.第一次光刻Ti/Au/Ti層，保留不需要電鍍的地方的光刻膠(9)；

第六步.在除了保留有光刻膠的不需要電鍍的地方外的整個表面上第一次電鍍Au層(11)；

第七步.反刻Au層(11)，腐蝕底金種子層，光刻形成共面波導傳輸線，電感下層引線(4)和接地屏障(7)；

第八步.在整個表面上淀積SiN介質層(3)后光刻：用PECVD工藝生長SiN介質層并光刻；

第九步.在SiN介質層(3)上淀積聚酰亞胺犧牲層(12)；

第十步.第二次濺射Ti/Au/Ti層(10)：在聚酰亞胺層(12)上濺射用于電鍍的底金Ti/Au/Ti層(10)，形成用于電鍍電感線圈的底金種子層；

第十一步.第二次光刻Ti/Au/Ti層(10)，保留不需要電鍍的地方的光刻膠；

第十二步.在除了保留有光刻膠的不需要電鍍的地方外的整個表面上第二次電鍍Au層(11)：在55℃氰基溶液中電鍍金；

第十三步.釋放聚酰亞胺犧牲層(12)：丙酮去除殘留的光刻膠，然后用顯影液融解電感線圈下的聚酰亞胺犧牲層，并用無水乙醇脫水，至此步驟電感線圈懸空；

第十四步.背面刻蝕GaAs襯底(1)至AlGaAs薄膜(2)。