[發(fā)明專利]無反射高出光率單元WLED功率擴容式大功率WLED光源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710018705.6 | 申請日： | 2007-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN101173758A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡家培;胡民海 | 申請（專利權(quán)）人： | 胡家培;胡民海 |
| 主分類號： | F21V29/00 | 分類號： | F21V29/00;F21V19/00;F21V15/02;F21V5/04;H05B33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 西安文盛專利代理有限公司 | 代理人： | 李中群 |
| 地址： | 710065陜西省西安市電子*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 反射 高出光率 單元 wled 功率 擴容 大功率 光源 | ||
1.一種無反射高出光率單元WLED功率擴容式大功率WLED光源，其特征在于具有一塊厚度為H1的散熱基板(1)，在散熱基板(1)上焊接有多個按行列式燈陣排布組成的芯片發(fā)光寬度為2w的BLED芯片(2)，在各芯片(2)上面分別涂一層硅膠質(zhì)熒光粉(3)，形成白光WLED發(fā)光體，芯片(2)厚度+熒光粉(3)厚度為h，在散熱基板(1)上各發(fā)光體外用高透光率、高強度工業(yè)塑料PC按H＝R-0.577w-0.33h的關(guān)系式分別罩設(shè)一個壁厚為0.2mm且透光率為n1＝1.40的薄型等厚半球狀外殼(5)，式中H為半球狀外殼(5)的高度，R為半球狀外殼(5)的半徑，R＝H+H1，在半球狀外殼(5)與發(fā)光體和基板(1)圍成的空間內(nèi)采用和PC相同透光率的高透明硅凝膠填充到PC外殼中形成硅膠半球透鏡(4)，由此組成無反射高出光率單元WLED光源，進而由各個單元WLED光源組合擴容成為大功率WLED光源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無反射高出光率單元WLED功率擴容式大功率WLED光源，其特征在于相鄰?fù)哥R(4)間的距離L≥R/sinθ，式中θ＜30°。
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