[發(fā)明專(zhuān)利]化合物半導(dǎo)體微波大功率器件中的空氣橋制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710018147.3 | 申請(qǐng)日： | 2007-06-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101097860A | 公開(kāi)（公告）日： | 2008-01-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郝躍;林若兵;馮倩;王沖 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/28 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 陜西電子工業(yè)專(zhuān)利中心 | 代理人： | 王品華;黎漢華 |
| 地址： | 71007*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 化合物 半導(dǎo)體 微波 大功率 器件 中的 空氣 制作方法 | ||
1.一種化合物半導(dǎo)體微波大功率器件中的空氣橋制作方法，包括如下過(guò)程：
在Si或者GaN基片上涂前烘溫度為160℃的高溫剝離膠，再涂前烘溫度為85℃的光刻膠，并在其中間位置光刻出橋區(qū)(6)及橋區(qū)兩邊的電極區(qū)域(3)，使該橋區(qū)(6)形成犧牲層；
將涂有所述兩種膠的基片放在烘箱中進(jìn)行烘烤，使橋區(qū)的犧牲層成為表面光滑整齊的完整拱形結(jié)構(gòu)，烘烤溫度：135℃—145℃的低溫，烘烤時(shí)間：15—25min；
在犧牲層上淀積一層80nm-100nm起鍍層(4)；
在起鍍層(4)上涂光刻膠并光刻出橋區(qū)及電極區(qū)域；
在無(wú)氰化物電鍍液中，利用電鍍工藝，在光刻出的橋區(qū)及電極區(qū)域電鍍一層Au，形成金屬層(5)；
利用泛曝光工藝去除非電鍍區(qū)域(8)上的光刻膠，用腐蝕工藝去除起鍍層(4)，用去剝離膠溶液去除橋區(qū)(6)的犧牲層，得到拱形空氣橋。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空氣橋制作方法，其特征在于剝離膠采用LOR5A型號(hào)，光刻膠采用EPI622型號(hào)，且剝離膠和光刻膠的厚度比例為2:3～5:5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空氣橋制作方法，其特征在于犧牲層的總厚度至少為2μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的空氣橋制作方法，其特征在于起鍍層為5nm的Ti薄層加上75nm-95nm的Au薄層。
5.一種化合物半導(dǎo)體微波大功率器件中的空氣橋制作方法，包括如下過(guò)程：
在制作完源、漏接觸和肖特基接觸后的GaN?HEMTs器件上，先涂上前烘溫度為160℃的高溫剝離膠，再涂前烘溫度為85℃的光刻膠，并在中間位置光刻出橋區(qū)(6)及橋區(qū)兩邊的電極區(qū)域(3)，使該橋區(qū)(6)形成犧牲層；
將涂有所述兩種膠的基片放在烘箱中進(jìn)行烘烤，使橋區(qū)的犧牲層成為表面光滑整齊的完整拱形結(jié)構(gòu)，烘烤溫度：135℃—145℃的低溫，烘烤時(shí)間：15—25min；
在犧牲層上淀積一層80nm-100nm起鍍層(4)；
在起鍍層(4)上涂光刻膠并光刻出橋區(qū)及電極區(qū)域；
在無(wú)氰化物電鍍液中，利用電鍍工藝，在光刻出的橋區(qū)及電極區(qū)域電鍍一層Au形成金屬層(5)；
在電鍍Au后的電鍍層面即金屬層(5)上，涂光刻膠并光刻出非電鍍區(qū)域(8)；
利用腐蝕工藝去除非電鍍區(qū)域(8)上的起鍍層(4)，用泛曝光工藝去除金屬層(5)上的光刻膠(7)，用去剝離膠溶液去除橋區(qū)(6)的犧牲層，得到拱形空氣橋。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的空氣橋制作方法，其特征在于剝離膠采用LOR5A型號(hào)，光刻膠采用EPI622型號(hào)，且剝離膠和光刻膠的厚度比例為2:3～5:5。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的空氣橋制作方法，其特征在于犧牲層的總厚度至少為2μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的空氣橋制作方法，其特征在于起鍍層為5nm的Ti薄層加上75nm-95nm的Au薄層。
9.一種化合物半導(dǎo)體微波大功率器件中的空氣橋制作方法，包括如下過(guò)程：
在制作完源、漏接觸和肖特基接觸的GaN?HEMTs器件上，先涂前烘溫度為160℃的高溫剝離膠，再涂前烘溫度為85℃的光刻膠，并在其中間位置光刻出橋區(qū)及橋區(qū)兩邊的電極區(qū)域(3)，使該橋區(qū)(6)形成犧牲層；
將涂有所述兩種膠的基片放在烘箱中進(jìn)行烘烤，使橋區(qū)的犧牲層成為表面光滑整齊的完整拱形結(jié)構(gòu)，烘烤溫度：140℃的低溫，烘烤時(shí)間：20min；
在犧牲層上淀積一層100nm起鍍層(4)；
在起鍍層上涂光刻膠并光刻出橋區(qū)及電極區(qū)域；
在無(wú)氰化物電鍍液中，利用電鍍工藝，在光刻出的橋區(qū)及電極區(qū)域電鍍一層Au，形成金屬層(5)；
利用泛曝光工藝去除非電鍍區(qū)域(8)上的光刻膠，用腐蝕工藝去除起鍍層(4)，用去剝離膠溶液去除橋區(qū)(6)的犧牲層，得到拱形空氣橋。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的空氣橋制作方法，其特征在于剝離膠采用LOR5A型號(hào)，光刻膠采用EPI622型號(hào)，且剝離膠和光刻膠的厚度比例為2:3～5:5；犧牲層的總厚度至少為2μm；起鍍層為5nm的Ti薄層加上75nm-95nm的Au薄層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
