[發(fā)明專利]一種高亮度發(fā)光二極管芯片的制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710014001.1 | 申請(qǐng)日： | 2007-03-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101030616A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 任忠祥;夏偉;徐現(xiàn)剛;李樹(shù)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東華光光電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 濟(jì)南圣達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王書(shū)剛 |
| 地址： | 250101山東省濟(jì)南*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 亮度 發(fā)光二極管 芯片 制備 方法 | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
