[發明專利]接觸結構及其制作方法

無效

• 申請號: 200710006764.1
• 申請日: 2007-02-06
• 公開（公告）號: CN101241888A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 張世明
• 申請（專利權）人: 臺灣薄膜電晶體液晶顯示器產業協會;中華映管股份有限公司;友達光電股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美電子股份有限公司;財團法人工業技術研究院;統寶光電股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/498;H01L23/544;H01L21/60;H01L21/48;H01L21/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張波

1.?一種接觸結構，包括：

接墊，配置于基板上；

高分子凸塊，配置于該接墊上；以及

導電層，覆蓋該高分子凸塊并且延伸至該高分子凸塊的外部，其中延伸至該高分子凸塊外部的該導電層是作為測試墊。

2.?如權利要求1所述的接觸結構，更包括延伸層，配置于該基板以及該測試墊之間。

3.?如權利要求2所述的接觸結構，其中該延伸層與該高分子凸塊連接在一起或是分離開來。

4.?如權利要求2所述的接觸結構，其中該延伸層的高度小于或等于該高分子凸塊的高度。

5.?如權利要求2所述的接觸結構，其中該延伸層的材質與該高分子凸塊的材質相同或不同。

6.?如權利要求2所述的接觸結構，其中該延伸層與該高分子凸塊至少其中之一的上表面為平滑的平面或是粗糙的表面。

7.?如權利要求6所述的接觸結構，其中該粗糙的表面是由多個凸起結構、多個凹陷結構或是多個溝槽狀結構所構成。

8.?如權利要求1所述的接觸結構，更包括保護層，配置在該基板上并暴露出該接墊。

9.?如權利要求1所述的接觸結構，其中該高分子凸塊的材質包括聚亞酰胺、環氧樹脂或壓克力等高分子材料。

10.?如權利要求1所述的接觸結構，其中該導電層是全部覆蓋該高分子凸塊或是部分覆蓋該高分子凸塊。

11.?如權利要求1所述的接觸結構，其中該基板包括硅基板、玻璃基板、印刷電路板、可撓式線路板或是陶瓷基板。

12.?如權利要求1所述的接觸結構，其中該高分子凸塊的橫向剖面形狀為矩形、圓形、多邊形、十字型、雙十字型或是U字型。

13.一種接觸結構的制作方法，包括：

提供基板，該基板上已形成有接墊；

在該接墊上形成高分子凸塊；

在該高分子凸塊上形成導電層，其中該導電層會覆蓋該高分子凸塊并且延伸至該高分子凸塊的外部，而延伸至該高分子凸塊外部的該導電層是作為測試墊。

14.??如權利要求13所述的接觸結構的制作方法，其中在形成該高分子凸塊的同時，更包括形成延伸層。

15.?如權利要求14所述的接觸結構的制作方法，其中該延伸層與該高分子凸塊連接在一起或是分離開來。

16.?如權利要求14所述的接觸結構的制作方法，其中該延伸層的高度小于或等于該高分子凸塊的高度。

17.?如權利要求14所述的接觸結構的制作方法，其中該延伸層的材質與該高分子凸塊的材質相同或不同。

18.?如權利要求14所述的接觸結構，其中該延伸層與該高分子凸塊至少其中之一的上表面為平滑的平面或是粗糙的表面。

19.?如權利要求18所述的接觸結構，其中該粗糙的表面是由多個凸起結構、多個凹陷結構或是多個溝槽狀結構所構成。

20.?如權利要求13所述的接觸結構的制作方法，其中在形成該高分子凸塊之前，更包括在該基板上形成保護層，其暴露出該接墊。

21.?如權利要求13所述的接觸結構制作方法，其中該導電層是全部覆蓋該高分子凸塊或是部分覆蓋該高分子凸塊。