[發明專利]磁頭

無效

• 申請號: 200710001551.X
• 申請日: 2007-01-05
• 公開（公告）號: CN101097718A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 吉池滋;永井浩史;上田基仙
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39;G11B5/11
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝

技術領域

本發明涉及一種磁頭，更確切地涉及一種特征在于讀頭屏蔽層的磁頭

背景技術

圖10示出了記錄介質5與從記錄介質5讀取數據的磁頭的讀頭之間的位置關系。在讀頭中，讀元件10夾在作為磁性層的下屏蔽層12與上屏蔽層14之間。下屏蔽層12和上屏蔽層14屏蔽讀元件10，以防止并非目標位的位的磁場作用到讀元件10。下屏蔽層12和上屏蔽層14由軟磁性材料制成，并通常通過電解鍍敷而形成為矩形。

讀元件10包括定向自由層的磁化方向的硬膜。在磁頭的生產過程中，作為磁化處理，對磁頭施加強磁場，從而定向硬膜的磁化方向。通過施加強磁場，作為軟磁性層的下屏蔽層12和上屏蔽層14分別具有單個磁疇。此外，在完成磁化處理之后，它們具有圖11A至11C所示的疇設置。

圖11A至11C所示的疇設置稱為回流疇結構，在各個回流疇結構中屏蔽層能夠進行有效屏蔽。圖11A和11B表示四疇結構的示例；圖11C表示七疇結構的示例。在這些示例中，磁頭具有足夠的磁屏蔽特性。在四疇結構的情況下，下屏蔽層12和上屏蔽層14形成為矩形，因此圖11A所示的順時針疇結構和圖11B所示的逆時針疇結構的形成概率相同。

在圖11A至11C所示的疇結構中，屏蔽功能有效地作用。讀元件10容易受來自下屏蔽層12和上屏蔽層14的漏磁場的影響，在磁疇的磁壁處容易產生來自屏蔽層的漏磁場。如圖11A至11C所示，讀元件10與磁壁分離，因此，即使磁壁移動，也可以保護讀元件10免受漏磁場的影響。因此，圖11A至11C所示的磁疇結構是有效的。當生產磁頭時，調整屏蔽層的厚度、形狀和成分，從而形成回流磁疇結構而不形成其中通過磁化處理而將磁疇設置在縱向上的“縱向設置磁疇”。

在生產磁頭的過程中，將屏蔽層形成為具有穩定的回流磁疇結構。然而，磁疇的形狀由于來自記錄介質的磁場、來自磁頭的寫頭的漏磁場、作用到磁頭的外部磁場、記錄線圈的熱量引起的應力等而改變，從而讀元件的特性發生變化。由于改變屏蔽層的磁疇的形狀，磁壁移動為靠近讀元件，從而來自磁壁的漏磁場作為磁噪音不利地影響讀元件。

此外，如上所述，使磁化場消失從而定向硬膜的磁化方向。在四疇結構的情況下，順時針疇結構和逆時針疇結構的形成概率相同。順時針疇結構中的與讀元件對應的磁疇的磁化方向與逆時針疇結構中的與讀元件對應的磁疇的磁化方向相反。因此，讀元件的輸出信號和特性發生變化。

專利文件1????日本特表2004-501478號公報

專利文件2????日本特開平11-31306號公報

專利文件3????日本特開2002-50009號公報

發明內容

構想了本發明以解決上述問題。

本發明的目的是提供一種磁頭，其能夠穩定讀頭屏蔽層中的磁疇的設置，防止讀元件的特性的變化并改進可靠性。

為了獲得該目的，本發明具有以下結構。

即，本發明的磁頭包括其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽的讀頭，在屏蔽層形成于其上的基層中形成有臺階形部分，該臺階形部分對應于由磁化處理之后形成在屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個疇區域中的至少一個的邊界。

在所述磁頭中，由臺階形部分分區的疇區域的高度可以低于其他疇區域的高度，并且由臺階形部分分區的疇區域的高度可能高于其他疇區域的高度。根據這些結構，可以在已磁化的屏蔽層中按期望設置磁疇。

在所述磁頭中，可以在由臺階形部分分區的疇區域中形成與基層分開地形成的臺階圖案，所述臺階圖案的高度可以低于其他疇區域的高度。此外，可以在由臺階形部分分區的疇區域中形成與基層分開地形成的臺階圖案，所述臺階圖案的高度可以高于其他疇區域的高度。根據這些結構，也可以在已磁化的屏蔽層中按期望設置磁疇。

另一磁頭包括其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽的讀頭，在屏蔽層形成于其上的基層中形成有臺階形切口，該臺階形切口對應于由磁化處理之后形成在屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個疇區域中的至少一個的邊界。

此外，另一磁頭包括其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽的讀頭，在屏蔽層的表面中形成有臺階形切口，該臺階形切口對應于由磁化處理之后形成在屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個疇區域中的至少一個的邊界。

在所述磁頭中，由臺階形部分分區的疇區域的高度可以低于其他疇區域的高度，由臺階形部分分區的疇區域的高度可以高于其他疇區域的高度。根據這些結構，可以在已磁化的屏蔽層中按期望設置磁疇。