[發(fā)明專利]磁頭

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710001551.X
• 申請(qǐng)日: 2007-01-05
• 公開（公告）號(hào): CN101097718A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吉池滋;永井浩史;上田基仙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士通株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/39
• 分類號(hào): G11B5/39;G11B5/11
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李輝

1、一種包括讀頭的磁頭，其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽，

其中，在所述屏蔽層形成于其上的基層中形成有臺(tái)階形部分，并且

所述臺(tái)階形部分對(duì)應(yīng)于由要在磁化處理之后形成在所述屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè)的邊界。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，

其中，由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度低于其他疇區(qū)域的高度。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，

其中，由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度高于其他疇區(qū)域的高度。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，

其中，在由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域中形成有與所述基層分開形成的臺(tái)階圖案，并且

所述臺(tái)階圖案的高度低于其他疇區(qū)域的高度。

5、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，

其中，在由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域中形成有與所述基層分開形成的臺(tái)階圖案，并且

所述臺(tái)階圖案的高度高于其他疇區(qū)域的高度。

6、一種包括讀頭的磁頭，其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽，

其中，在所述屏蔽層形成于其上的基層中形成有臺(tái)階形切口，并且

所述臺(tái)階形切口對(duì)應(yīng)于由要在磁化處理之后形成在所述屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè)的邊界。

7、一種包括讀頭的磁頭，其中讀元件被屏蔽層磁屏蔽，

其中，在所述屏蔽層的表面中形成有臺(tái)階形切口，并且

所述臺(tái)階形切口對(duì)應(yīng)于由要在磁化處理之后形成在所述屏蔽層中的期望磁疇所限定的多個(gè)疇區(qū)域中的至少一個(gè)的邊界。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭，

其中，由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度低于其他疇區(qū)域的高度。

9、根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭，

其中，由所述臺(tái)階形部分分區(qū)的疇區(qū)域的高度高于其他疇區(qū)域的高度。

10、根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，

其中，在所述屏蔽層中產(chǎn)生的多個(gè)磁疇關(guān)于所述屏蔽層的高度方向是不對(duì)稱地設(shè)置的，并且

使與所述讀元件交疊的磁疇的面積最大。

11、根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁頭，

其中，在所述屏蔽層中產(chǎn)生的多個(gè)磁疇關(guān)于所述屏蔽層的高度方向是不對(duì)稱地設(shè)置的，并且

使與所述讀元件交疊的磁疇的面積最大。

12、根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭，

其中，在所述屏蔽層中產(chǎn)生的多個(gè)磁疇關(guān)于所述屏蔽層的高度方向是不對(duì)稱地設(shè)置的，并且

使與所述讀元件交疊的磁疇的面積最大。