[發明專利]靜電吸盤的饋電結構及其制造方法以及靜電吸盤的饋電結構的再生方法

有效

• 申請號: 200680055881.0
• 申請日: 2006-09-19
• 公開（公告）號: CN101512749A
• 公開（公告）日: 2009-08-19
• 發明（設計）人: 宮下欣也;渡邊喜裕
• 申請（專利權）人: 創意科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 許海蘭

1.一種在金屬底板的上表面側以離金屬底板從近到遠的順序具備下部絕緣層、電極層以及表面絕緣介電層的靜電吸盤的饋電結構，其特征在于，

所述靜電吸盤具備：

貫通孔，貫通所述金屬底板的上下表面間；

饋電端子，配設在該貫通孔內，將從金屬底板的下表面側供給的電壓供給至層疊在上表面側的電極層；以及

絕緣保持部件，由電氣絕緣性材料形成，使所述貫通孔的內壁與饋電端子之間絕緣，并且保持所述饋電端子，

其中，所述饋電端子具有向金屬底板的上表面側凸出的饋電側端部，

該饋電側端部的前端，處于所述電極層和下部絕緣層的界面的電極層側，并位于所述電極層與表面絕緣介電層的界面以下。

2.根據權利要求1所述的靜電吸盤的饋電結構，其特征在于，

饋電端子的饋電側端部形成為在前端具有預定面積的頂面、并隨著趨向前端直徑逐漸縮小的凸起狀。

3.根據權利要求2所述的靜電吸盤的饋電結構，其特征在于，

至少與下部絕緣層接觸的饋電端子的饋電側端部的側面為具有預定的曲率的曲面。

4.根據權利要求1所述的靜電吸盤的饋電結構，其特征在于，

饋電端子由金屬鈦形成。

5.根據權利要求1所述的靜電吸盤的饋電結構，其特征在于，

絕緣保持部件至少在金屬底板的上表面側露出的部分由多孔質陶瓷構成，下部絕緣層以接觸所述多孔質陶瓷的方式噴鍍陶瓷粉末而構成。

6.一種在金屬底板的上表面側以離金屬底板從近到遠的順序具備下部絕緣層、電極層以及表面絕緣介電層的靜電吸盤的饋電結構的制造方法，其特征在于，

所述靜電吸盤具備：

貫通孔，貫通所述金屬底板的上下表面間；

饋電端子，配設在該貫通孔內，將從金屬底板的下表面側供給的電壓供給至層疊在上表面側的電極層；以及

絕緣保持部件，由電氣絕緣性材料形成，使所述貫通孔的內壁與饋電端子之間絕緣，并且保持所述饋電端子，

該制造方法，具有：

在貫通孔內隔著絕緣保持部件配設饋電端子，所述饋電端子的一部分向金屬底板的上表面側凸出，并且在金屬底板的上表面側噴鍍陶瓷粉末而形成下部絕緣層的工序；

噴鍍金屬粉末，以埋沒向金屬底板的上表面側凸出的饋電端子的饋電側端部的前端的方式，或與饋電側端部的前端成為同一平面的方式，形成電極層的工序；以及

噴鍍陶瓷粉末，形成表面絕緣介電層的工序。

7.根據權利要求6所述的靜電吸盤的饋電結構的制造方法，其特征在于，

絕緣保持部件至少在金屬底板的上表面側露出的部分由多孔質陶瓷構成，并以接觸該多孔質陶瓷的方式形成下部絕緣層。

8.一種在金屬底板的上表面側以離金屬底板從近到遠的順序具備下部絕緣層、電極層以及表面絕緣介電層的靜電吸盤的饋電結構的再生方法，其特征在于，

所述靜電吸盤具備：

貫通孔，貫通所述金屬底板的上下表面間；

饋電端子，配設在該貫通孔內，將從金屬底板的下表面側供給的電壓供給至層疊在上表面側的電極層；以及

絕緣保持部件，由電氣絕緣性材料形成，使所述貫通孔的內壁與饋電端子之間絕緣，并且保持所述饋電端子，

該再生方法，具有：

從使用完畢的靜電吸盤的金屬底板除去表面絕緣介電層、電極層以及下部絕緣層的工序；

在貫通孔內隔著絕緣保持部件配設饋電端子，所述饋電端子的一部分向金屬底板的上表面側凸出，并且在金屬底板的上表面側噴鍍陶瓷粉末而形成下部絕緣層的工序；

噴鍍金屬粉末，以埋沒向金屬底板的上表面側凸出的饋電端子的饋電側端部的前端的方式，或與饋電側端部的前端成為同一平面的方式，形成電極層的工序；以及

噴鍍陶瓷粉末，形成表面絕緣介電層的工序。

9.根據權利要求8所述的靜電吸盤的饋電結構的再生方法，其特征在于，包括：

在形成電極層的工序之前，將饋電端子的饋電側端部加工為在前端具有預定面積的頂面、并且隨著趨向前端直徑逐漸縮小的凸起狀的工序。