[發明專利]球狀燒結鐵氧體粒子、使用該粒子的半導體封裝用樹脂組合物以及用該樹脂組合物獲得的半導體器件在審
| 申請號: | 200680054891.2 | 申請日: | 2006-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN101460404A | 公開(公告)日: | 2009-06-17 |
| 發明(設計)人: | 山本一美;阿部雅治;山本惠久;西本一志;土手智博;五十嵐一雅;惠藤拓也;多田雅孝;岡山克巳;小林薰 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社;戶田工業株式會社 |
| 主分類號: | C01G49/00 | 分類號: | C01G49/00;C08L63/00;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 郇春艷;樊衛民 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 球狀 燒結 鐵氧體 粒子 使用 半導體 封裝 樹脂 組合 以及 獲得 半導體器件 | ||
1.一種球狀燒結鐵氧體粒子,其具有以下性質(a)~(d):
(a)所述粒子的可溶性離子含量為5ppm以下;
(b)所述粒子的平均粒度為10~50μm;
(c)通過X射線衍射,所述粒子的晶體結構為尖晶石結構;
(d)所述球狀燒結鐵氧體粒子的粒度分布在5~15μm的粒度范圍和20~50μm的粒度范圍內均具有峰值。
2.根據權利要求1所述的球狀燒結鐵氧體粒子,其為Fe與至少一種選自Mg、Zn、Ni、Mn和Cu的金屬元素M的氧化物。
3.根據權利要求2所述的球狀燒結鐵氧體粒子,其中構成所述球狀燒結鐵氧體粒子的金屬元素M對Fe的摩爾比例(M/Fe)在M/Fe=1/1.57~1/2.17的范圍內。
4.根據權利要求1所述的球狀燒結鐵氧體粒子,其用BET法測量的比表面積為0.02~0.1m2/g。
5.根據權利要求1所述的球狀燒結鐵氧體粒子,其用壓汞法測量的孔體積為0.2升/千克以下。
6.一種半導體封裝用樹脂組合物,其包含填料,所述填料含有根據權利要求1所述的球狀燒結鐵氧體粒子以及二氧化硅粒子。
7.根據權利要求6所述的半導體封裝用樹脂組合物,其中所述填料的比例為所述樹脂組合物的65~80體積%。
8.根據權利要求6所述的半導體封裝用樹脂組合物,其中所述填料中的球狀燒結鐵氧體粒子的比例為所述填料的至少50體積%。
9.根據權利要求8所述的半導體封裝用樹脂組合物,其中所述填料的共混組成滿足下述(d1)~(d3):
(d1)平均粒度為5~15μm的所述二氧化硅粒子占所述填料的4~30體積%;
(d2)平均粒度為20~50μm的所述球狀燒結鐵氧體粒子占所述填料的50~93體積%;
(d3)平均粒度為0.2~2μm的所述二氧化硅粒子占所述填料的3~30體積%。
10.根據權利要求8所述的半導體封裝用樹脂組合物,其中所述填料的共混組成滿足下述(d4)~(d6):
(d4)平均粒度為5~15μm的所述球狀燒結鐵氧體粒子占所述填料的4~30體積%;
(d5)平均粒度為20~50μm的所述球狀燒結鐵氧體粒子占所述填料的50~93體積%;
(d6)平均粒度為0.2~2μm的所述二氧化硅粒子占所述填料的3~30體積%。
11.根據權利要求6所述的半導體封裝用樹脂組合物,其中所述二氧化硅粒子為球狀二氧化硅粒子。
12.根據權利要求6所述的半導體封裝用樹脂組合物,其含有環氧樹脂和酚醛樹脂基固化劑。
13.根據權利要求12所述的半導體封裝用樹脂組合物,其含有與所述環氧樹脂和酚醛樹脂基固化劑一起的固化促進劑。
14.一種半導體器件,其通過用根據權利要求6所述的半導體封裝用樹脂組合物封裝半導體元件而制造。
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