[發(fā)明專利]用于電路管芯的高熱性能封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200680053007.3 | 申請日: | 2006-12-21 |
| 公開(公告)號: | CN101375389A | 公開(公告)日: | 2009-02-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | K·H·蔡;B·恩喬曼;Z·P·雄 | 申請(專利權(quán))人: | 艾格瑞系統(tǒng)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/82 | 分類號: | H01L21/82 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 柴毅敏 |
| 地址: | 美國賓*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 電路 管芯 高熱 性能 封裝 | ||
1.一種用于電路管芯的封裝方法,所述方法包括:
利用成型材料封裝電路部件,所述電路部件包括電路管芯;
去除所述電路管芯上的所述成型材料的至少一部分,以在所述成型 材料內(nèi)產(chǎn)生凹進區(qū)域;以及
在所述成型材料的所述凹進區(qū)域上設(shè)置散熱器,所述散熱器的底表 面具有設(shè)置在所述凹進區(qū)域內(nèi)的第一下凹部,而所述散熱器的底表面的 剩余部分與成型材料的預(yù)表面對準(zhǔn),所述散熱器的頂表面具有第二下凹 部,所述第二下凹部設(shè)置在所述凹進區(qū)域的至少一部分上并與所述凹進 區(qū)域的該至少一部分對準(zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:在把所述散熱器設(shè)置在所 述成型材料和所述凹進區(qū)域上之前,在所述凹進區(qū)域周圍在所述成型材 料的頂表面的至少一部分上設(shè)置粘接層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述電路管芯的至少一部分上 的基本所有所述成型材料都被去除,以產(chǎn)生所述凹進區(qū)域,并使所述電 路管芯和所述散熱器之間的距離最小化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括:執(zhí)行固化工藝,以固化所 述成型材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其中所述固化工藝在產(chǎn)生所述凹進 區(qū)域之后執(zhí)行。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中使用激光器去除所述成型材料 的所述一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中封裝所述電路管芯的步驟包括:
把所述電路部件設(shè)置在由模具限定的模腔內(nèi),所述模腔形成所述電 路部件和模具板之間的間隙;以及
把成型材料引入所述模腔,以填充所述間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其中形成所述模具的模具上板和模 具下板之間的距離顯著大于所述電路部件的高度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中在封裝步驟期間,用于在封裝 期間盛放成型材料的模具頂板的內(nèi)表面與電路部件的頂表面豎直地間隔 開,以便使得成型材料形成連續(xù)的頂表面,該連續(xù)的頂表面覆蓋并充分 封裝其上設(shè)置電路部件的襯底的頂表面的至少一部分和電路部件。
10.一種電子器件,所述電子器件包括:
襯底;
外部觸頭,其電連接到所述襯底;
電路管芯,其電連接到所述襯底,并具有第一表面和第二表面,所 述第二表面機械地聯(lián)接到所述襯底;
成型材料,其封裝所述襯底的至少一部分以及所述電路管芯的至少 一部分,所述成型材料在所述第一表面上形成凹進區(qū)域;以及
散熱器,所述散熱器與所述電路管芯熱聯(lián)接,所述散熱器的底表面 具有設(shè)置在所述凹進區(qū)域內(nèi)的第一下凹部,而所述散熱器的底表面的剩 余部分與成型材料的頂表面對準(zhǔn),所述散熱器的頂表面具有第二下凹部, 所述第二下凹部設(shè)置在所述凹進區(qū)域的至少一部分上并與所述凹進區(qū)域 的該至少一部分對準(zhǔn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件,還包括設(shè)置在所述凹進區(qū)域 和所述電路管芯的所述第一表面之間的間隔墊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子器件,其中所述間隔墊的頂表面不 被成型材料覆蓋。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件,其中所述第一表面不被所述 成型材料覆蓋。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件,其中所述成型材料形成連續(xù) 的頂表面,該連續(xù)的頂表面覆蓋并充分封裝襯底的頂表面的至少一部分 和電路管芯。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





